DDR5 價格創下新高！存儲芯片漲價周期仍未見頂

價格方面，DRAM持續走強，2026年7月初16Gb  DDR5價格已升至約47美元，創下新高。美國銀行(BofA)報告認為，這主要受到AI算力需求擴張以及產能向HBM傾斜的雙重推動。同時，由于主流廠商持續削減DDR4產能并配合下游客戶補庫，DDR4價格也同步刷新本輪周期高點。

NAND閃存同樣處于強勢上漲通道，其中512Gb  NAND晶圓合約價格已升至約25美元，顯著高于現貨市場水平，相較2025年2月約2.5美元的周期低點，累計漲幅接近10倍。

調研機構TrendForce方面略微下調了2026年第二季度NAND  ASP增長預期至55%–60%，但同時上調了2026年第四季度展望至10%–15%。

而BofA的預測與TrendForce大體一致，但略顯保守，其模型預計2Q26 NAND ASP增長約65%，3Q26約13%，4Q26約1%。

從需求側來看，美國四大科技巨頭——Amazon、微軟、谷歌以及Meta—預計在2026年合計資本開支將同比增長約80%，達到約7000億美元規模，這將進一步強化數據中心對存儲的長期拉動。

從結構性需求來看，BofA對未來3至5年的數據增長保持高度信心，認為在云端數據上傳、AI訓練與推理擴展以及“物理AI”等多重驅動下，全球數據量(以Exabyte計)增長速度有望超過25%。這意味著存儲需求不僅來自AI訓練，還將廣泛擴散至推理與邊緣計算場景，形成更長期、更廣泛的需求底座。

此外，BofA報告特別提到SanDisk在企業級SSD業務上的爆發式增長，其相關收入同比增長高達7倍。同時，公司正在推進一種“高帶寬閃存”技術，試圖以遠低于DRAM的成本實現接近DRAM級別的性能，該產品預計將在2026年末至2027年間逐步推出，可能成為企業存儲市場的重要變量。

整體而言，BofA的核心結論是：當前存儲周期并未見頂，而是在AI與數據中心驅動下進入結構性上行階段，真正的供需拐點仍可能出現在更遠的未來。

值得關注的是，BofA還強調，中國存儲廠商正在加速DDR5  DRAM技術研發，以應對AI、企業級計算和消費電子需求的快速增長，技術水平正逐步逼近三星電子、SK海力士以及美光等全球三大存儲巨頭。

印科技前不久報道，中國最大的DRAM廠商CXMT正加速推進DDR5技術路線，已推進更高規格DDR5  DRAM模塊的研發與量產，其最新DRAM模塊已實現8000MT/s的傳輸速度，涵蓋16Gb與24Gb顆粒規格。同時，32Gb  DRAM業已進入消費級市場，并成為國內存儲產業升級的核心推動力量，成為國內存儲產業升級的核心推動力量。