聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱：聯(lián)合微電子，英文簡(jiǎn)稱：CUMEC）的晶圓級(jí)硅光+鈮酸鋰異質(zhì)集成技術(shù)平臺(tái)是國(guó)內(nèi)首個(gè)一站式8英寸有源硅光與薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成平臺(tái)。該平臺(tái)于2022年起開(kāi)始研發(fā)，并于2025年4月正式發(fā)布“一站式”能力，覆蓋從器件設(shè)計(jì)、加工制造到封裝測(cè)試的全流程。該平臺(tái)可提供鈮酸鋰鍵合、減薄、圖形化及金屬電極布線等復(fù)雜工序，為光電子產(chǎn)業(yè)提供全方位、端到端的解決方案。該平臺(tái)之所以關(guān)鍵，在于聯(lián)合微電子是目前國(guó)內(nèi)唯一公開(kāi)發(fā)布了該異質(zhì)集成平臺(tái)PDK的單位。
8英寸有源硅光與薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成平臺(tái)
針對(duì)傳統(tǒng)的硅光調(diào)制器因硅材料本身缺乏顯著線性電光效應(yīng)而導(dǎo)致的高驅(qū)動(dòng)電壓、高能耗及帶寬受限等行業(yè)痛點(diǎn)，聯(lián)合微電子創(chuàng)新性地采用低溫鍵合與減薄技術(shù)實(shí)現(xiàn)SOI晶圓與薄膜鈮酸鋰的晶圓級(jí)異質(zhì)集成，充分發(fā)揮SOI優(yōu)越的電學(xué)性能且與CMOS工藝完全兼容的優(yōu)勢(shì)。同時(shí)利用鈮酸鋰卓越的電光效應(yīng)特性，實(shí)現(xiàn)材料間的性能互補(bǔ)與充分利用，最終在單芯片上達(dá)成大帶寬（＞100 GHz）、高調(diào)制效率（VpiL＜2.1 V?cm）低暗電流（＜30 nA）的高性能光電發(fā)射接收功能。
8英寸有源硅光與薄膜鈮酸鋰異質(zhì)集成平臺(tái)可廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心高速光互連、高性能計(jì)算光I/O、激光雷達(dá)（LiDAR）及相干光通信等對(duì)帶寬密度和能效比要求嚴(yán)苛的下游場(chǎng)景，為下一代超高速光電子集成系統(tǒng)提供核心器件支撐。
面向人工智能（AI）算力與超高速互連的時(shí)代需求，聯(lián)合微電子將持續(xù)深耕異質(zhì)集成工藝，為全球光電產(chǎn)業(yè)提供更成熟、更可靠的技術(shù)底座，推動(dòng)光通信技術(shù)的下一輪演化！
關(guān)于聯(lián)合微電子
聯(lián)合微電子（CUMEC）是重慶市政府重磅打造的國(guó)家級(jí)國(guó)際化新型研發(fā)機(jī)構(gòu)，于2018年10月在重慶注冊(cè)成立，首期投資超100億元。聯(lián)合微電子針對(duì)國(guó)家微電子行業(yè)高端發(fā)展的需求，著力打造集技術(shù)、產(chǎn)品和工藝為一體的光電融合高端特色工藝，以硅基光電子、異質(zhì)異構(gòu)三維集成、高端CMOS圖像傳感器等工藝技術(shù)和產(chǎn)品技術(shù)為核心，聚焦“后摩爾時(shí)代”世界集成電路發(fā)展主流趨勢(shì)，探索“超越摩爾”的行業(yè)發(fā)展模式，匯聚海內(nèi)外一流集成電路人才，打造國(guó)際一流的集成電路研發(fā)中心。
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