隨著人工智能、大數據中心和高速光通信產業快速發展，全球對高性能光電芯片及關鍵材料的需求持續增長。作為高速光通信、CPO光子芯片、毫米波雷達和衛星通信等領域的重要基礎材料，磷化銦（InP）襯底正迎來新一輪發展機遇。
近日，大慶溢泰半導體材料有限公司磷化銦襯底擴建項目正在加速推進，企業依托成熟技術積累和全產業鏈布局，進一步擴大磷化銦產能，搶抓AI算力產業高速發展的市場窗口。
“大模型、云計算推動全球算力基礎設施持續升級，800G、1.6T乃至3.2T高速光模塊市場快速增長，對高性能光電芯片提出更高要求。”大慶溢泰副總經理趙春峰表示，磷化銦作為第三代化合物半導體的重要材料，憑借高電子遷移率、優異的光電轉換性能和良好的高頻特性，已成為高速通信激光器和光子集成芯片不可替代的核心襯底。目前，全球磷化銦襯底供應仍較為緊張，國產替代空間廣闊。
作為國家級高新技術企業和專精特新重點“小巨人”企業，大慶溢泰長期深耕化合物半導體材料領域，已形成覆蓋第一代、第二代及第四代半導體材料的產品布局。目前，公司擁有砷化鎵、磷化銦、鍺、銻化鎵、金屬鎵等八大核心產品。其中，砷化鎵襯底產業化能力處于行業領先水平，現有600臺砷化鎵長晶爐，年產能達到360萬片。成熟的晶體生長技術、規模化制造經驗以及完善的生產體系，為磷化銦項目擴產奠定了堅實基礎。
依托8萬平方米自有廠房和標準化潔凈生產環境，大慶溢泰具備快速擴產能力。同時，公司自主研發多晶合成爐、單晶生長爐等關鍵設備，建立起“多晶合成—單晶生長—晶片加工”的完整產業鏈，實現核心環節自主可控。憑借低缺陷、高均勻性的產品性能，公司磷化銦晶片已通過行業客戶驗證，并實現批量供貨，在市場競爭中形成一定優勢。
根據規劃，大慶溢泰磷化銦項目將圍繞3英寸、4英寸主流襯底產品，同時推進6英寸高端產品研發，分兩階段實施產能擴張。一期擴建工程預計于2026年第四季度完成投產，計劃新增300臺磷化銦長晶爐，實現年產25萬片晶片。2027年啟動二期建設后，將進一步新增600臺長晶爐，全部達產后企業磷化銦長晶爐總規模將達到900臺，年產能提升至75萬片。項目全面落地后，大慶溢泰磷化銦襯底全球市場占有率有望達到30%，進一步推動國內高端光通信材料國產化進程。
除磷化銦領域外，大慶溢泰也在持續布局多種先進半導體材料。其中，鍺材料已完成技術儲備，并逐步拓展至空間能源等應用領域；銻化鎵作為第四代半導體材料，正面向紅外探測、熱成像、光計算等方向推進應用開發。多元化布局有助于完善大慶化合物半導體與稀散金屬材料產業生態。
業內認為，隨著AI算力、數據中心和高速通信基礎設施建設加速，磷化銦等關鍵半導體材料的重要性不斷提升。大慶溢泰此次擴產不僅將提升企業自身產業競爭力，也有望補齊國內高端化合物半導體襯底產能短板，增強我國半導體關鍵材料供應鏈自主可控能力。未來，公司將持續推進磷化銦、鍺、銻化鎵等材料產業化突破，向全球領先的綜合性化合物半導體材料企業邁進。
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