韓國科技媒體The Elec于2026年7月31日援引多位半導體行業知情人士消息披露，三星電子在龍仁器興園區推進的8英寸氮化鎵（GaN）功率半導體代工項目在試生產階段遭遇技術瓶頸。因部分測試芯片在長時間高溫運行測試中出現失效故障，原本規劃于2026年年內實現商業化量產的計劃預計將面臨數月的延期。
據知情人士透露，#三星電子 近期在其月產能約1300至1500片晶圓的8英寸氮化鎵專用代工線上，對無晶圓廠（Fabless）客戶提交的芯片設計進行了試生產。測試結果顯示，部分芯片在攝氏100度至200度的高溫環境中連續暴露暴露約1000小時后停止工作。鑒于氮化鎵半導體通常應用于最高可承載1200伏特高壓以及超過200度高溫的環境中，并被廣泛部署于電動汽車、數據中心和機器人技術等領域，目前試產芯片的可靠性指標尚未達到商業化使用標準。
針對故障產生的原因，業內分析主要指向晶圓制造與外延片工藝環節。氮化鎵器件需要在硅基底上通過外延生長生成氮化鎵層，若外延層的質量或晶體結構未達到最佳狀態，其缺陷在高溫高壓條件下會被放大。三星電子目前通過自研的有機金屬化學氣相沉積（MOCVD）設備供應外延片。知情人士指出，工藝團隊在調整晶圓工藝以滿足2至3伏特的功率半導體閾值電壓目標時，可能忽視了工藝修改對器件長期使用壽命的影響。
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三星電子于2023年重組LED業務并成立化合物半導體解決方案（CSS）部門，原計劃于2025年啟動專用GaN代工線，后因功率半導體市場環境原因推遲至2026年底。由于三星電子此前優先發展存儲芯片等核心業務，進入GaN代工賽道的時間晚于英飛凌、意法半導體、德州儀器及英諾賽科等已實現商業化出貨的競爭對手。部分客戶在試產故障出現后，已開始評估尋找替代代工廠商的可能性。
針對試產故障及量產延期傳聞，三星電子官方發言人回應表示，公司目前仍處于量產前的準備階段，正在解決研發過程中的正常技術挑戰。官方強調，試生產階段出現的調試問題屬于正式量產前排除錯誤的常規流程。
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