加拿大魁北克大學計算機科學教授丹尼爾·勒米爾近日表示，受AI需求持續拉升帶動，按單位容量計價，內存價格已漲回接近2007年水平，相當于把近20年的降價成果基本抹平，屬于歷史罕見的行業異動。
勒米爾在梳理歷史走勢后寫道，他記不起之前有過類似的先例，他認為往后要么探索出少占內存也能訓練好大模型的路徑，要么把內存產能做得更快更大。
斯坦福大學DAM項目匯總的價格序列給出量化錨點，眼下DDR5每GB約11.41至13.28美元（約合人民幣77至90元），與2008年前后DDR2價位帶高度重合，按通脹折算約回到2011年DDR3水平。
這樣的價格增幅并非偶然，斯坦福的數據只能說明結果，背后的驅動力來自AI算力集群對內存的大量需求。
馬斯克在近期的業績電話會上也給出數量級對比，內存產能一年約增加20%，而AI側內存需求年增速可能到200%甚至更高。供給一年大概只能增加20%，需求卻可能翻倍再翻倍，價格只能被頂上去。
SK海力士也在電話會上承認，近期普通DRAM價格大漲，這可能影響HBM價格談判。有人指望長鑫存儲顆粒撕開平價口子，但零售端顯示，用其芯片做的內存條，價格軌跡仍與三星、SK海力士、美光三大廠同步。
緊缺的外溢面也在變寬，從AI服務器、顯卡、手機到汽車電子等，成本端都開始承壓。至于這輪漲價何時見頂，業內尚無統一說法。
存儲巨頭SK海力士近日批準了約54.3萬億韓元（約2590億元人民幣）的新工廠建設計劃，用于京畿道龍仁Y2和清州M17兩座晶圓廠。
其中Y2為DRAM基地，投資35.2萬億韓元（約1679億元人民幣），M17為NAND基地，投資19.1萬億韓元（約911億元人民幣）。
以上金額僅覆蓋廠房建設，Y2的設備投資后續可能高達120萬億韓元（約5724億元人民幣），總投入將突破150萬億韓元（約7155億元人民幣）。
對于近期關注過內存價格的消費者來說，這么大筆的投入很容易產生“產能夠用，內存漲價快到頭了”的錯覺，但答案并非如此。
M17首批無塵室計劃2028年12月啟用，Y2甚至到2027年7月才破土動工，首批無塵室要到2029年6月才啟用。無且塵室啟用僅意味著開始設備安裝和驗證，并非開始出貨。
SK海力士在公告中還有一句話：公司將按總體規劃建設廠房，但無塵室擴建和設備安裝將根據需求趨勢分階段推進，以最大化資本效率。換言之，廠房先蓋，但金額遠更大的設備投入要等需求確認后才跟進。
產品結構同樣對普通消費者不利，Y2將生產HBM等下一代DRAM，而HBM的產能擠占正是DDR5被趕出晶圓廠的根本原因。SK海力士目前約30%的DRAM晶圓產能用于HBM，分析師預計這一比例到2027年將接近40%。
SK海力士自身也將此輪投資稱為結構性轉型而非臨時性超級周期，并引用Omdia的預測數據稱DRAM和NAND到2030年將保持年均19%的增長。
產品方面，據瑞銀最新披露的物料清單顯示，英偉達下一代Vera Rubin AI平臺的內存成本出現爆炸式增長，內存在整機中的成本占比從上一代Grace Blackwell系統的53%飆升至62%，已然成為整套平臺最昂貴的部件。
技術規格方面，英偉達Vera Rubin NVL72機柜包含72顆Rubin GPU和36顆Vera CPU，平臺采用Superchip超級芯片模組設計，每組模組搭載2顆Rubin GPU、1顆Vera CPU。
單顆Rubin GPU標配288GB HBM4顯存，顯存帶寬可達22TB/s，Vera CPU配套大容量SOCAMM2 LPDDR5X內存，整套NVL72機柜內存+顯存總容量高達74.7TB，這相當于4500臺主流智能手機的內存總量。
從成本上來看，單組Vera Rubin超級芯片模組總成本約38902美元（約28.01萬元人民幣），其中內存相關開銷就達到24297美元（約17.49萬元人民幣）。
最為夸張的是Vera CPU成本構成，剔除SOCAMM2內存之后，CPU核心本體預估價格僅704美元（約5068元人民幣），內存價值已成為芯片本體的數十倍。
對比上代產品可以看出，英偉達Vera Rubin系統的總成本增加了2.1倍，但內存項的開支漲幅卻達到了2.5倍。
這一變化直觀體現出大模型時代AI算力需求的轉變，相比計算核心，大容量、高帶寬存儲正成為制約AI集群擴容的核心瓶頸，也是全球HBM、DRAM持續緊缺的關鍵原因。
目前包括AMD在內的其他加速器巨頭也在持續推高存儲規格，其Helios平臺單GPU已計劃搭載432GB HBM4，且由于AI廠商普遍簽署了長期供應協議，預計存儲市場的產能緊張還將持續數年。
