受限于必須制備超厚緩沖層的工藝要求，市面主流硅基GaN HEMT電壓規格很難突破900V，但是在8月5日，Power Integrations（簡稱PI）公司宣布，他們的PowiGaN?的額定電壓已提升至2200V，大幅超越目前商用氮化鎵技術的電壓等級。
事實上，PI公司此前已經推出了1250V和1700V的氮化鎵器件，此次全新2200V技術的推出，可支撐更高等級母線架構設計，不僅服務于數據中心應用，還能為新能源汽車、光伏逆變器及電池儲能系統的中長期產品迭代提供技術適配性。
在高壓電力系統向更高功率密度快速演進的當下，PI公司最新推出的2200V氮化鎵技術備受關注。那么，這項突破性技術究竟具備哪些核心優勢，又將如何賦能新一代數據中心與新能源應用？
8月25日，PI公司將出席【SiC/GaN賦能800V數據中心與新能源創新峰會】，PI公司首席技術培訓師Jason Yan將帶來《超越1700V，高壓氮化鎵賦能數據中心與電動汽車應用》的主題演講，屆時將深入解析高壓GaN從技術原理到實際落地的關鍵環節，為行業帶來前瞻性洞察，共同探索這條通往更高電壓、更高效率的變革之路。
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【SiC/GaN賦能800V數據中心與新能源創新峰會】即將于8月25日在深圳舉行，大會將搭建從SiC/GaN、電源到終端應用的閉環交流生態，匯聚全鏈路領軍企業的創新技術與實戰經驗,致力于加速GaN和SiC技術在眾多高增量市場的規模化商用滲透。活動亮點如下：
直擊行業熱門痛點
本次大會將聚焦數據中心、新能源汽車、人形機器人、家電、消費電子、儲能等電源轉換/電力電子技術熱門方向，圍繞“800V數據中心與SST技術研討會”和“GaN賦能AIDC、機器人、新能源研討會”兩大專場主題活動，探尋突破性的SiC/GaN電力電子變換新技術方案。
2場圓桌論壇嘉賓陣容
大會期間，將舉辦兩場高規格圓桌論壇：
上午場為“AI數據中心對SiC/GaN的機遇和挑戰”沙發論壇，揚杰科技戰略市場部總經理施俊、利普思總經理丁烜明、凌銳半導體總經理劉桂新、澎芯半導體董事長計建新、瞻芯電子副總經理曹峻、國聯萬眾研發總監王川寶、芯長征市場高級總監盛杰、AOS應用工程總監張龍等嘉賓已確認出席。
下午場則是“氮化鎵破界應用機遇與挑戰”圓桌論壇，格晶半導體董事長白俊春、納微達斯半導體現場應用總監況草根、新微半導體功率產品總監劉天猷、鎵未來公司IP與技術合作總監張大江、三安半導體GaN研發處長劉成博士等嘉賓已確認出席。
2份行業報告重磅發布
大會現場，行家說三代半研究總監張文靈將作題為“800VDC數據中心市場容量與演進趨勢”的開場報告，為與會者梳理全球800VDC數據中心發展脈絡。
另一重磅消息是，本次大會將發布《2026氮化鎵（GaN）產業調研白皮書》成果，詳細解讀GaN產業的競爭態勢、市場前景等，助力參會者洞察GaN在人形機器人、AI數據中心、新能源汽車、快充、消費電子、工業等多個領域的發展脈絡與未來走向。
設置SiC/GaN成果展示區，促成商機
大會現場將設置專場展覽，納芯微、國聯萬眾、創銳光譜等國內外多家功率半導體企業進行SiC/GaN與電源新產品、新技術展示，包括SiC/GaN器件&模塊、電源技術方案、其他元器件等，為參會企業提供精準的商業配對和需求對接平臺，推動新一代電源創新技術商業化落地。
馬上掃碼參會，共探SiC/GaN前沿應用方向：
本文發自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。
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