SK海力士正在思考，全球各地的生產基地在未來技術路線圖中該扮演什么角色。
據彭博社8月8日報道，SK海力士正在就位于中國重慶的半導體封裝廠尋求多種處置方案，潛在股權出售估值約30億美元。該消息隨后引發市場對SK海力士在華戰略調整的廣泛猜測。SK海力士官方于8月10日回應韓國交易所詢問時稱，正在審查加強重慶工廠競爭力的各種選項，但尚未做出任何決定。彭博社援引知情人士消息稱，潛在買家包括中國投資基金及本土半導體企業，SK海力士可能保留少數股權，但談判仍處于早期階段，未必會達成實際交易。
（彭博社報道標題）
海外最大封測基地
SK海力士重慶工廠是該公司在中國負責NAND閃存后端封裝與測試的核心基地，其運營主體為愛思開海力士半導體（重慶）有限公司。2013年5月，SK海力士與重慶市政府簽訂投資協議，同年7月15日正式成立公司并開工建設，項目落戶于重慶西永微電子園區。2014年9月26日，一期項目舉行竣工投產儀式，主要進行半導體后工序加工服務，包括芯片封裝、測試、模組等生產線。
項目采取分期建設、滾動投入的策略。一期工程投資約3億美元，占地面積500畝，于2014年下半年正式投產，一期項目擬形成7.2億顆/年集成電路芯片封裝產能。2017年9月，SK海力士與重慶市政府簽署半導體后工序諒解備忘錄，啟動二期擴建，已于2019年9月竣工投產。至此，重慶工廠累計投資規模達到12億美元，成為SK海力士在全球海外最大的封裝測試基地。
（SK海力士重慶工廠）
從產能與人員規模來看，重慶工廠一期投產時雇有1200名員工，經過多輪擴產后員工規模已增長至超過2000人，整體產能提升至原有水平的2.5倍，年芯片產量接近20億顆，承擔SK海力士全球超40%的閃存產品封裝測試任務。
中國產能仍占重要比重
盡管重慶工廠的股權出售引發退出中國的猜測，但多家分析機構指出，SK海力士并未放棄其在華前端制造布局。據TrendForce分析，2026年中國仍占SK海力士DRAM產能約30%至35%、NAND產能約35%至40%。其中，無錫工廠自2004年起便是SK海力士最重要的海外晶圓制造基地，該廠12英寸晶圓最高月產能可達13萬片，約占SK海力士DRAM總產量的30%至40%，亦占全球DRAM產量約13%。
大連工廠則是SK海力士2020年以90億美元收購英特爾NAND及SSD業務后獲得的關鍵資產。該工廠工商注冊名已變更為"愛思開海力士半導體存儲技術（大連）有限公司"，由SK海力士全資持有，主要生產NAND閃存。據韓媒報道，SK海力士計劃2026年下半年重啟大連第二工廠擴建工程，開始安裝生產設備，并分階段完成設施建設直到2027年上半年，目標月產能為3萬至5萬片晶圓，但具體進度仍受美國對華半導體設備出口許可審批節奏的影響。
地緣政治與AI需求
SK海力士考慮出售重慶封裝廠股份，是一次全球生產版圖的戰略性重置。一方面，美國2025年8月宣布撤銷對三星和SK海力士在華工廠的“經驗證最終用戶”（VEU）許可豁免，這意味著向大連等中國工廠出口先進半導體設備需逐案申請許可證，大幅增加了技術升級和產能擴張的不確定性。大連工廠目前主要生產192層NAND，在美國出口限制下恐難以升級至SK海力士最先進的238層或321層制程。
另一方面，SK海力士正將資源和資本大舉投向韓國本土及美國的AI存儲器產能建設。8月7日，SK海力士董事會批準總投資54.3萬億韓元（約383億美元），其中35.2萬億韓元用于龍仁半導體集群第二座工廠（Y2）建設，目標2029年6月啟用首間潔凈室，專門生產高帶寬存儲器（HBM）及下一代DRAM；19.1萬億韓元用于清州M17 NAND工廠，目標2028年12月啟用首間潔凈室。同時，SK海力士正投資38.7億美元在美國印第安納州西拉法葉建設先進封裝廠，計劃2028年下半年量產HBM等AI存儲器封裝產品。
業界消息顯示，SK海力士已啟動中國通用NAND封裝產線的重組，計劃通過外包封裝與測試（OSAT）降低固定成本、提升整體運營效率。據韓媒報道，SK海力士正在重新思考“在哪里擁有、在哪里投資”，以及每個生產基地在未來技術路線圖中的角色，而非追求對每一處設施的完全控股。重慶工廠的股權調整，正是這一戰略思維的體現：將后端業務向資本效率更高的模式轉型，同時把最前沿的HBM和先進封裝產能集中布局于韓國和美國，以貼近核心客戶需求并降低地緣政治風險。
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