半導體工藝仿真——離子注入

（1）離子注入模型參數包括GAUSS, PEARSON, FULL.LAT, MONTECARLO以及BCA。

（2）CRYSTAL 和 AMORPHOUS：當采用掩蔽層材料時，需要定義 AMORPHOUS來避免溝道效應。

（3）FULL.DOSE 定義用于調整補償傾角的注入劑量。通常用于高劑量的離子注入。

Adjusted Dose = DOSE/cos(TILT) 

（4）FULLROTATION規定應按所有旋轉角度進行離子注入。

（5）PLUS.ONE (UNIT.DAMAGE、 D.PLUS), 以及DAM.FACTOR (D.SCALE) 定義離子注入損傷計算值。

（6）S.OXIDE 定義SVDP 離子注入模型屏蔽氧化層參數。

（7）N.ION 定義蒙特卡羅方法的離子軌跡的數量，對于1D結構，缺省N.ION為1,000，對于2D結構，缺省N.ION 為10000.

（8）DIVERGENCE 定義離子注入波束的寬度。

（9）DIX.0 和 DIX.E 定義雜質在中性間隙中擴散的擴散系數。DIX.0 是前指數項常數，DIX.E 是激活能。改變硅中磷雜質在中性間隙擴散率。

IMPURITY I.PHOSPHORUS SILICON DIX.0=3.85 DIX.E=3.85

（10）SEG.0 和 SEG.E 用來計算平衡態下的分凝濃度。SEG.0是無單位前指數項常數，SEG.E是激活能，單位為eV.改變硅-二氧化硅界面雜質的分凝系數。磷在硅中的平衡濃度是二氧化硅中的30倍。

IMPURITY I.PHOSPHORUS SILICON /OXIDE SEG.0=30.0 SEG.E=0.0

（11）SS.CLEAR, SS.TEMP,和 SS.CONC 是固溶度數據。SS.CLEAR表示清除當前存儲的指定材料中指定雜質的固溶度數據。SS.TEMP 和 SS.CONC 添加單一溫度和對應的固溶度。設置硅中銦的激活能與溫度的關系。

IMPURITY I.INDIUM SILICON SS.TEMP=800 SS.CONC=<VAL1> SS.CLEAR

IMPURITY I.INDIUM SILICON SS.TEMP=900 SS.CONC=<VAL2>

IMPURITY I.INDIUM SILICON SS.TEMP=950 SS.CONC=<VAL3>

（12）多晶硅擴散模型參數：PD.DIX.0和PD.DIX.E定義沿著晶界方向的雜質擴散系數 

PD.DIX.0 是晶粒邊界擴散系數的前指數因子(cm2/sec).

PD.DIX.E是晶粒邊界擴散系數的激活能(eV).

PD.EFACT 指定晶界分離系數的熵因子。

PD.SEG.E 指定晶界分離系數的激活能。

PD.TAU晶粒邊界時間常數。

PD.GROWTH.0 定義晶粒增長率前指數項常數。

PD.GROWTH.E 指定晶粒增長率的激活能。

PD.CRATIO 規定了晶界中的雜質濃度與總濃度之間的初始比值。

（13）TRNDL.0 和TRNDL.E定義界面陷阱模型，描述在硅/二氧化硅界面的劑量損失。TRNDL.0 是cm/sec;TRNDL.E是eV.

（14）TRN.0 和TRN.E定義給定界面的傳輸速率。TRN.0是前指數項常數(cm/sec). TRN.E 是激活能(eV).

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