本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫編譯自IC Insights。
中國的工廠產(chǎn)能在全球占比中增長最大，但在裝機容量方面仍落后于臺灣、韓國和日本。
IC Insights的《全球晶圓產(chǎn)能2021-2025》報告按地理區(qū)域(或國家)分列全球晶圓裝機容量。上圖顯示了截至2020年12月各地區(qū)的裝機容量。
為了明確數(shù)據(jù)所代表的含義，每個區(qū)域的數(shù)字是該區(qū)域內(nèi)晶圓廠的月度總裝機容量，而不考慮擁有這些晶圓廠的公司的總部所在地。例如，總部位于韓國的三星在美國的晶圓產(chǎn)能被計入北美總產(chǎn)能，而不是韓國總產(chǎn)能。ROW“區(qū)域”主要包括新加坡、以色列和馬來西亞，但也包括俄羅斯、白俄羅斯和澳大利亞等國家/地區(qū)。
《全球晶圓產(chǎn)能報告2021-2025》中關(guān)于各地區(qū)IC產(chǎn)能趨勢的一些觀察如下:
1. 截至2020年12月，臺灣以21.4%的全球晶圓裝機容量領(lǐng)先全球。韓國排在第二位，占全球晶圓產(chǎn)能的20.4%。臺灣是200mm晶圓產(chǎn)能的領(lǐng)先者。在300mm晶圓方面，韓國排在前列，緊隨其后的是臺灣。三星和海力士繼續(xù)積極擴張他們在韓國的晶圓廠，以支持他們的大容量DRAM和NAND閃存業(yè)務(wù)。
2. 臺灣在2011年超過日本后，于2015年超過韓國成為最大的容量持有者。預(yù)計到2025年，臺灣仍將是晶圓產(chǎn)能最大的地區(qū)。預(yù)計在2020年至2025年期間，中國的月晶圓產(chǎn)能將增加近140萬片(相當(dāng)于200毫米)。
3. 到2020年底，中國擁有全球產(chǎn)能的15.3%，幾乎與日本相當(dāng)。預(yù)計到2021年，中國的裝機容量將超過日本。2010年中國晶圓產(chǎn)能首次超過歐洲，2016年首次超過ROW區(qū)域產(chǎn)能，2019年首次超過北美產(chǎn)能。
4. 從2020年到2025年，中國預(yù)計將是唯一一個產(chǎn)能份額提高了多個百分點的地區(qū)(3.7個百分點)。盡管人們對中國新推出的大型DRAM和NAND晶圓廠的預(yù)期有所降低，但未來幾年，總部位于其他國家的存儲制造商和本土IC制造商也將有大量晶圓產(chǎn)能進(jìn)入中國。
5. 北美地區(qū)的產(chǎn)能份額預(yù)計將在預(yù)測期內(nèi)下降，因為該地區(qū)龐大的無晶圓廠供應(yīng)商行業(yè)繼續(xù)依賴于臺灣的晶圓廠。歐洲的產(chǎn)能份額預(yù)計也將繼續(xù)緩慢萎縮。
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