近日，據晉城新聞網報道，由晉城市光機電產業研究院引進的銻化物半導體項目目前已經進入試運行階段，預計明年將達到1萬支芯片的產能，將成為全國首條第四代半導體的生產線。
據了解，銻化物激光器芯片生產項目是晉城市光機電產業研究院引進中科院半導體研究所牛智川教授團隊落地的首期項目，概算總投資8202.82萬元。項目圍繞銻化物半導體激光芯片核心技術，研制銻化物大功率激光芯片和單模激光芯片，將廣泛應用于激光加工、醫療切割等不同領域。
晉城新聞網報道指出，目前，市國科半導體研究所研發團隊就該項目已授權專利28項，在申請專利達100多項。
作為山西晉城市轉型發展的樣板工程，第四代半導體激光器綜合性能將達到國內領先、國際先進水平，建成后，將進一步豐富拓展第四代半導體產業鏈條。
目前，公認的半導體代際技術所對應的材料體系已經明確：基于Ⅳ族硅Si、鍺Ge元素的第一代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵、磷化銦的第二代半導體；基于Ⅲ-Ⅴ族氮化鎵、Ⅳ族碳化硅的第三代半導體等。
銻化物半導體作為具有重大發展潛力的第四代半導體技術之一，在開發下一代的小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優勢。
中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員、國家重點研發計劃量子調控與量子信息項目負責人牛智川此前表示，銻化物半導體在開發下一代的小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，及其要求極為苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優勢。
此外，中國院研究報告亦指出發展銻化物半導體已成為我國第四代半導體核心技術發展的戰略性方向之一。
