Wolfspeed起訴Navitas專利侵權(quán)，化合物半導體專利戰(zhàn)火再燃

當?shù)貢r間2026年7月7日，美國化合物半導體企業(yè)Wolfspeed向美國特拉華聯(lián)邦地區(qū)法院遞交訴狀，指控同領(lǐng)域業(yè)者Navitas Semiconductor旗下全系列氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）功率器件侵犯其5項底層基礎(chǔ)發(fā)明專利。這起訴訟橫跨GaN與SiC兩大技術(shù)路線，涉及Navitas幾乎全部核心產(chǎn)品線。

訴訟核心訴求

根據(jù)Wolfspeed官方新聞稿及法院公開信息，本次訴訟案號為1:26-cv-00818，由特拉華聯(lián)邦地區(qū)法院受理。Wolfspeed在訴狀中主張，Navitas的以下產(chǎn)品侵犯了其5項美國專利：

• 涉及專利號：8,169,005、10,998,418、10,886,396、10,749,443及11,888,392，涵蓋GaN晶體管芯片架構(gòu)、SiC MOSFET設(shè)計邏輯及高密度功率集成模塊等底層技術(shù)。
• 被控侵權(quán)產(chǎn)品：Navitas三大GaN產(chǎn)品系列——面向消費快充的GaNFast®、超薄高密度方案GaNSlim™、適配工業(yè)與車載場景的GaNSafe®，以及車規(guī)級GeneSiC™ MOSFET與SiCPAK®功率模塊。

Wolfspeed在訴狀中請求法院：認定Navitas侵權(quán)；簽發(fā)永久銷售禁令，限制其在美國生產(chǎn)、進口、流通涉案器件；追索經(jīng)濟損失、專利許可費及全部訴訟費用。

雙方官方表態(tài)

目前，Wolfspeed和Navitas均已在各自官網(wǎng)發(fā)布聲明：

Wolfspeed首席執(zhí)行官Robert Feurle在聲明中強調(diào)：“Wolfspeed的基礎(chǔ)性技術(shù)幫助創(chuàng)建了這一產(chǎn)業(yè)，我們致力于捍衛(wèi)代表數(shù)十年創(chuàng)新和研發(fā)投入的知識產(chǎn)權(quán)。我們尊重他人的知識產(chǎn)權(quán)，也期望獲得同樣的尊重。保護專利組合是公司和股東的戰(zhàn)略優(yōu)先事項。”

（Wolfspeed官方聲明）

Navitas則在官方聲明中表示已知悉訴狀，但不同意相關(guān)指控。公司稱Wolfspeed的訴訟“毫無根據(jù)”（baseless），是試圖通過訴訟獲取“無法通過正常市場競爭獲得的優(yōu)勢”。Navitas強調(diào)，其技術(shù)建立在數(shù)十年自主創(chuàng)新、研發(fā)投入的基礎(chǔ)之上，擁有強大的全球知識產(chǎn)權(quán)布局（超過300項已發(fā)布或待批專利），將積極為自身及產(chǎn)品辯護，并預計最終能勝訴。由于案件仍在審理中，Navitas表示不再進一步置評。

（Navitas官方聲明）

技術(shù)和市場重疊，競爭日趨激烈

Wolfspeed總部位于美國北卡羅來納州達勒姆，前身為Cree Inc.（1987年創(chuàng)立），2021年更名并全面聚焦寬禁帶半導體。Wolfspeed是全球SiC（碳化硅）領(lǐng)域的開創(chuàng)者與行業(yè)龍頭，也是全球以寬禁帶半導體為主業(yè)的廠商中，少數(shù)實現(xiàn)從襯底、外延、器件到封裝全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合（IDM模式）的企業(yè)。公司在2025年6月申請Chapter 11破產(chǎn)保護，同年9月完成重組，削減債務(wù)約70%。

Navitas成立于2014年，總部位于美國加利福尼亞州托倫斯，2021年通過與SPAC合并登陸納斯達克。Navitas是一家無晶圓廠（Fabless）功率半導體設(shè)計公司，核心產(chǎn)品為GaNFast™ GaN功率IC和GeneSiC™高壓SiC器件。2022年，Navitas收購GeneSiC Semiconductor，正式切入SiC市場。2026年6月，Navitas宣布加入英偉達MGX生態(tài)合作伙伴體系。

兩家公司在技術(shù)路線（均覆蓋GaN與SiC）和目標市場（均瞄準AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源等高增長領(lǐng)域）上存在重疊，尤其在AI數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域，雙方競爭日趨激烈。

分析人士指出，Wolfspeed此次訴訟并非孤立事件。Wolfspeed在2025年完成破產(chǎn)重組后，正試圖在AI數(shù)據(jù)中心電源市場重建競爭力，而Navitas與英偉達的合作直接觸及了Wolfspeed的戰(zhàn)略目標市場。

此外，Wolfspeed的專利組合被視為其核心壁壘之一，通過訴訟不僅可以保護IP，還可能獲得授權(quán)收入或?qū)Ω偁帉κ中纬射N售限制，從而改善自身競爭地位。

另一場跨國專利戰(zhàn)

Wolfspeed與Navitas的訴訟，讓人聯(lián)想到另一場備受關(guān)注的跨國專利爭端——德國英飛凌（Infineon Technologies AG）與中國英諾賽科（Innoscience）之間的互相訴訟。雙方圍繞氮化鎵功率器件專利，在中、美、德三個法域展開激烈交鋒。

英飛凌

美國ITC終裁：2026年5月7日，美國國際貿(mào)易委員會（USITC）全體委員會作出最終裁定，認定英諾賽科侵犯英飛凌美國專利US 9,899,481的兩項權(quán)利要求，對英諾賽科相關(guān)產(chǎn)品實施進口及銷售禁令。該裁定經(jīng)60天總統(tǒng)審查期后于2026年7月7日正式生效。英飛凌高級副總裁Johannes Schoiswohl表示，裁決彰顯了英飛凌在知識產(chǎn)權(quán)體系方面的堅實基礎(chǔ)，體現(xiàn)了公司積極保護專利組合、維護行業(yè)公平競爭環(huán)境的承諾。

德國法院判決：2026年7月3日，德國慕尼黑地方法院（Landgericht München I）就英飛凌訴英諾賽科案作出一審判決，認定英諾賽科產(chǎn)品侵犯英飛凌德國專利DE 10 2017 103 054，禁止英諾賽科在德國進口、銷售及推廣侵權(quán)產(chǎn)品，并判令賠償。此前，該法院已分別于2025年8月1日、2026年6月18日作出對英諾賽科不利的裁決。英飛凌稱，德國和美國法院已多次裁定英諾賽科產(chǎn)品侵權(quán)。

英飛凌官方聲明：英飛凌在其官網(wǎng)及微信公眾號發(fā)布聲明稱，“德國慕尼黑地方法院7月3日就英飛凌科技與英諾賽科之間有關(guān)氮化鎵（GaN）技術(shù)的又一項專利侵權(quán)案件作出裁決，再次裁定英飛凌勝訴。”聲明強調(diào)，英飛凌是氮化鎵市場領(lǐng)先的垂直整合器件制造商（IDM），擁有業(yè)界最廣泛的知識產(chǎn)權(quán)組合，涵蓋約450個氮化鎵專利家族。

（英飛凌官微聲明）

英諾賽科

中國法院判決：2026年5月27日，蘇州市中級人民法院作出一審判決，認定英飛凌科技（中國）有限公司、英飛凌科技（無錫）有限公司侵犯英諾賽科兩項GaN核心發(fā)明專利（專利號：202311774650.7和202211387983.X），判令英飛凌停止侵權(quán)并賠償人民幣1000萬元。法院同時發(fā)出兩項訴中臨時禁令。英飛凌不服，向最高人民法院申請復議。2026年6月12日，最高人民法院駁回英飛凌全部復議請求，維持禁令。

展會撤展事件：2026年7月1日，在上海慕尼黑電子展（electronica China 2026）上，英諾賽科發(fā)現(xiàn)英飛凌仍在展出已被法院禁令限制的產(chǎn)品，隨即向展會現(xiàn)場知識產(chǎn)權(quán)糾紛調(diào)解機構(gòu)投訴。經(jīng)調(diào)解人員實地調(diào)查后，英飛凌當場撤下相關(guān)侵權(quán)展品。

英諾賽科官方聲明：英諾賽科在其微信公眾號發(fā)布聲明稱，英飛凌在展會上展出被禁產(chǎn)品是“對中國司法權(quán)威的公然藐視”。同時，針對德國慕尼黑法院7月3日判決，英諾賽科回應稱，該判決僅涉及“早已停產(chǎn)停售的歷史產(chǎn)品”，公司現(xiàn)有產(chǎn)品采用新設(shè)計，不落入相關(guān)專利保護范圍，可繼續(xù)在德國自由銷售。英諾賽科還指出，美國ITC終裁認定侵權(quán)的也僅是歷史產(chǎn)品，現(xiàn)有產(chǎn)品未侵權(quán)，可繼續(xù)在美國進口和銷售。

（英諾賽科官微聲明）

行業(yè)觀察與后續(xù)展望

化合物半導體領(lǐng)域的專利訴訟正呈高發(fā)態(tài)勢。除Wolfspeed訴Navitas、英飛凌訴英諾賽科外，業(yè)界還涉及英諾賽科與EPC、MaxPower訴羅姆、IQE訴Tower等多起案件。

對于Wolfspeed訴Navitas一案，目前仍處于立案初期，被告Navitas的應訴截止日期為2026年7月29日。參照特拉華地區(qū)半導體專利案件的常規(guī)節(jié)奏，完整審理周期通常為1至3年。

Navitas面臨三條潛在路徑：與Wolfspeed達成專利授權(quán)并支付許可費；投入研發(fā)重構(gòu)產(chǎn)品以規(guī)避專利；或通過交叉授權(quán)實現(xiàn)和解。若最終敗訴，可能同時面臨產(chǎn)品禁售、營收下滑及大額賠償?shù)榷嘀貕毫Α?/p>

從更宏觀的視角看，這些專利戰(zhàn)反映出第三代半導體（GaN/SiC）市場正處于高速增長與激烈競爭并存的階段。據(jù)TrendForce等行業(yè)機構(gòu)預測，全球SiC市場規(guī)模有望在2030年突破200億美元，GaN市場亦保持類似增速。

在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源等核心應用場景的驅(qū)動下，擁有核心專利的企業(yè)正試圖通過法律手段鞏固市場地位，而后來者則需要在自主創(chuàng)新與專利規(guī)避之間尋找平衡。