Qorvo助力簡化GaN?PA偏置

中國北京 – 2022 年 6 月 14日–移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo®, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設計，可加強 Qorvo GaN PA 的設計與測試。

GaN 器件是耗盡型 FET，運行時需要施加負柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統中，需要以特定的順序進行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負柵極電壓，以保護器件免受損壞。

Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內置可配置性，可實現多種 GaN PA 偏置并自動校準系統。它集成了功率 MOSFET 和電流數模轉換器，方便器件精準檢測 PA 靜態漏極電流。此設計采用電源管理，對 GaN 偏置流程進行簡化。

ACT41000 可在 4.5 到 40 V 的輸入電壓下運行；在 4 A 電流下，可生成最高達 24 V 的穩定可調的輸出電壓，變化幅度為 12.5 mV。ACT41000 帶有評估平臺和 GUI，可幫助客戶調節輸出漏極電壓、靜態和最大漏極電流、PA 器件電流，以及電壓保護、開關頻率和其他功能，從而優化 GaN PA 性能。

在用戶接通系統電源后，將會自動執行此流程進行自動調試，防止因為老化或劇烈溫度波動造成故障，因而可降低測試難度，提升自動化水平。ACT41000 內置可配置性，可為不同市場（包括衛星通信、5G、雷達等）內的各種 Qorvo GaN PA 提供偏置。

Qorvo 可編程電源管理產品高級主管 David Briggs 表示：“Qorvo 致力于為客戶和供應商簡化實際解決方案的設計和測試。這款全新產品集成了 Qorvo 功率產品與 GaN 產品組合，是我們產品組合擴展計劃的一部分。”

Qorvo 是應用集成產品（如 ACT41000）市場的領軍企業。觀看視頻教程，了解 ACT41000 如何經過專門設計從而與Qorvo 行業領先的 GaN 產品進行集成。

歡迎在 6 月 21-23 日 IMS (#IMS2022) 期間與我們聯系。有關 Qorvo 解決方案、公告和會談咨詢的更多信息，請訪問 Qorvo IMS 2022 專題頁面。