在美國將總部位于中國的長江存儲列入黑名單后，三星在12月上半月將其3D NAND閃存設備的定價提高了10%。根據DigiTimes的一份報告，由于一些PC制造商暫時暫停了與長江存儲的合作，其他制造商對3D NAND的需求增加了，所以三星提高了報價。
據悉，長江存儲在本月初的閃存峰會 (FMS) 2022 上發布了采用 Xtacking 3.0 架構的 X3-9070 TLC 3D NAND 閃存。該閃存實現了高達 2400MT / s 的 I / O 速度，符合 ONFI 5.0 標準，相比上一代產品性能提升 50%。
在長江存儲進入“未經核實清單”（UVL）后的最后幾個月里，美國政界人士公開稱長江存儲是對美國國家安全構成威脅。因此，蘋果決定不從長江存儲購買3D NAND，即使是在中國分銷的iPhone。
顯然，其他PC OEM也紛紛效仿，并暫停了與中國閃存制造商合作，要么是因為他們不想卷入政治丑聞，要么是因為他們不確定長江存儲能否按時提供足夠的內存，因為如果沒有美國商務部的允許，長江存儲將被禁止從美國供應商那里購買技術和零部件，除非他們從美國商務部獲得特別出口許可證。
據悉，包括美光、三星和SK Hynix在內的其他制造商生產的3D NAND內存的需求增加，市場領導者三星甚至決定提高其3D NAND價格以利用這次機會。
目前尚不清楚三星在 12 月 1 日提高合同 3D NAND 定價將如何影響 3D NAND 的總體價格，尤其是固態驅動器的價格。3D TLC 存儲器的報價已經停滯了數月，因此小幅上漲對閃存制造商來說將是一個積極信號。與此同時，三星幾乎沒有向競爭的 SSD 制造商銷售大量 3D NAND，尤其是那些生產一些最好 SSD的公司 ，因此我們不會看到三星的行動對 SSD 價格產生重大影響。尚待觀察的是，美光、三星和 SK 海力士減少 3D NAND 產量何時會對市場產生實際影響。TrendForce 認為，由于實際設備制造商手頭有大量 3D NAND，因此減產的影響不會在 2022 年第四季度出現，也沒有對 2023 年第一季度做出預測。與之相反的是，因通膨導致 PC 等產品銷售停滯、DRAM 持續供應過剩，導致 11 月價格下跌約 10%，連續 7 個月下滑，且跌幅呈現擴大。
據日經新聞報道，2022年11月份指標性產品DDR4 8Gb批發價為每個1.9美元左右，較前一個月份（10月）下跌12%；容量較小的4Gb產品價格為每個1.55美元左右，較前一個月份下跌11%。8Gb、4Gb價格皆為連續第7個月下滑、且跌幅皆較前一個月份（皆月減10%）呈現擴大，和去年同月相比皆大減約四成。
報道指出，DRAM批發價格為存儲器廠商和客戶間每個月或每季敲定一次，而做為賣方的韓國存儲器廠商為了壓縮年末庫存、似乎以低價販售，而PC、模組廠商等買方的采購意愿雖不高，但基于穩定采購的考量、仍持續購買一定的數量，因此雙方最終敲定價格調降約一成。據報道，存儲器廠商雖開始減產，不過當前仍持續呈現供應過剩，市場普遍預期12月以后價格恐持續下跌。Gartner 11月28日發表預估報告指出，因經濟重啟、消費者支出轉向休閑等領域，加上通膨沖擊，導致PC、智能手機等民生用品需求萎縮，因此將明年（2023年）全球半導體市場規模自原先（7月）預估的6,230億美元（年減2.5%）下修至5,960億美元、將年減3.6%。存儲器市場需求尤為疲弱。Gartner預估，DRAM在2023年1-9月、NAND Flash在2023年1-6月期間將陷入供應過剩局面。日本電子情報技術產業協會（JEITA）11月29日發布新聞稿指出，根據WSTS最新公布的預測報告顯示，因智能手機、PC需求疲弱，導致存儲器需求預估將呈現大幅減少、邏輯需求萎縮，因此將2023年全球半導體銷售額預估值自原先（8月）預期的年增4.6%大幅下修至年減4.1%、金額為5,565.68億美元，將為4年來（2019年以來）首度陷入萎縮。WSTS預估2023年存儲器（Memory）銷售額將大減17.0%至1116.24億美元。什么是3D NAND
3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業所研發的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。
NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND閃存跟處理器不一樣，先進工藝雖然帶來了更大的容量，但NAND閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致于達到某個點之后制程工藝已經無法帶來優勢了。
相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/m㎡，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/m㎡，48層堆棧的則可以達到2.8Gb/m㎡。
在主要的NAND廠商中，三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產上要落后三星至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel在今年9月發布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業級市場的。
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