例：FDH45N50F如下參數：
?有人可能會這樣計算：
開通電流
帶入數據得
關斷電流
帶入數據得
于是乎得出這樣的結論，驅動電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？?
這里必須要注意這樣一個條件細節，RG=25Ω。所以這個指標沒有什么意義。?
?
當然這也只能估算出驅動電流的數值，還需進一步測試MOS管的過沖波形。在設計驅動電路的時候，一般在MOS管前面串一個10Ω左右的電阻（根據測試波形調整參數）。
?
這里要注意的是要用Qg來計算開啟關斷速度，而不是用柵極電容來計算。
下面講講MOS管開通過程
開始給MOS管Cgs充電，當電壓升到5V時，Id流過一定的電流。繼續充電，Id越來越大，但還沒完全導通。當Id升到最大電流時，Id不再變化，Cgs也不再變化。
這時輸入電壓不給Cgs充電，而是給Cgd米勒電容充電，然后MOS管完全導通。
MOS管完全導通之后，輸入電壓不再經過米勒電容，又繼續給Cgs充電直到Vgs等于輸入電壓10V。?
圖中Vgs輸入電壓保持不變即Qgd階段，輸入電壓不給Cgs充電，而是給Cgd米勒電容充電。這是MOS管固有的轉移特性。這期間不變的電壓也叫平臺電壓。
此時，MOS管的電流最大，電阻最大，根據P=I*I*R，此時管子消耗的功率最大，發熱最嚴重，所以盡可能讓平臺電壓工作的時間很短。
一般來說，耐壓等級越高，MOS管的輸入電容越大，反向傳輸電容Crss越小，米勒效應也相應減小。?
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