我們都知道：
“兩點之間線段最短”、
“走直線，少走彎路”。
然而在芯片界，有時路線卻不是越短越好。
人類對便攜性的追求，讓電子產品越做越小，
內部的電子部分的確是“越來越短”。
比如最初的電腦是個巨無霸，
它有18000個電子管，
占地足足170平方，重達30噸，
這樣的電腦可不是隨隨便便就可以擁有的。
為了讓人人都能用上電腦，
體積小、功耗低、更穩定的晶體管
取代了電子管，
集成電路也隨之應運而生。
有了晶體管和集成電路，
電路的規模越來越大，
體積卻能夠越做越小。
?開山之石──MOSFET?
1960s，MOSFET晶體管誕生了，
譯為“金屬氧化物半導體場效應晶體管”。
它可以看作是一種平面結構的晶體管，
由三個區域組成：
源極（S）、漏極（D）和柵極（G）
MOSFET的工作原理很簡單，
柵極類似于一個控制電壓的閘門，?
若給柵極G施加電壓，閘門打開，
電流就能從源極S通向漏極D；
撤掉柵極上的電壓，閘門關上，
電流就無法流過S/D極間的通道。
一個比較傳統的MOSFET長度大概100納米，
那怎么理解這個長度呢？
我們的頭發絲直徑大約0.1毫米，
已經是MOSFET的1000倍了。
?橫空出世──FinFET?
隨著元件尺寸縮小，柵極的長度也越做越短，
當制程小于20nm時，麻煩出現了：
MOSFET的柵極難以關閉電流通道，
躁動的電子無法被阻攔，
漏電現象屢屢出現，功耗也隨之變高。
為了減少漏電，
胡正明教授發明了晶體管的立體結構，
他將電流通道做成很薄的豎片，
將其三面都用柵極包夾起來，
控制通道關閉的效率就高多了。
這種結構長得很像鯊魚背鰭（Fin），
因此也被稱為FinFET晶體管。
FinFET技術一路披荊斬棘，
成為了先進制造市場上的先鋒。
但當制造工藝微縮到3nm時，
漏電“魔咒”又hold不住了。
?閃耀新星──GAA?
既然三面包夾還在漏電，
那就四面統統包起來試試！
Gate-all-Around a.k.a GAA（全環繞柵）
是FinFET技術的終極進化版。
通過堆疊多個水平的納米線，
讓柵極包裹無死角，
精確控制電流通道，打破漏電“魔咒”。
由于GAA與FinFET技術相似度很高，
廠商在3nm制成工藝上選擇了不同的道路。
三星選擇直接上馬GAA技術，
而臺積公司則試圖深度改進FinFET。
2nm制程上巨頭們同歸殊途，
不約而同都選擇了GAA，
看來，未來能夠接棒FinFET，
提升至下一代技術的非GAA莫屬。
此外，三星設計出另一種GAA形式──
MBCFET（多橋-通道場效應管）。
多層納米片替代了GAA中的納米線，
更大寬度的片狀結構增加了接觸面，
在保留了所有原有優點的同時，
還實現了復雜度最小化。
新思科技和代工廠長期緊密合作，
通過DTCO
（Design Technology Co-optimization）
創新協同優化FinFET，
提供面向FinFET/GAA工藝技術的解決方案，
并積極支持更先進的新型晶體管工藝，
攜手推進半導體產業持續開拓未來。
