第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
來源：半導體在線、重慶日報
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測，到2026年，碳化硅產品市場將達35億美元，氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來，國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產業鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集，是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業，8英寸襯底正在探索商業化量產，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關注碳化硅、氮化鎵產業鏈前景，最新襯底、外延、器件技術與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術與應用。參觀第三代半導體重點企業與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發展的影響
第三代半導體市場及產業發展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術與設備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產化進程和技術突破?
SiC市場以及技術發展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術進展
大尺寸GaN長晶難點及技術展望
GaN材料技術進展
SiC與GaN器件與下游應用
功率器件封裝技術與材料
新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業參觀與考察（重點企業或園區）
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中國大陸8英寸晶圓廠項目表（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項目表（月度更新）
中國大陸半導體封測項目表（月度更新）
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中國大陸半導體濕電子化學品項目表（月度更新）
中國大陸晶圓廠當月設備中標數據表（月度更新）
中國大陸上月半導體前道設備進口數據表（月度更新）
中國大陸半導體大硅片項目地圖（月度更新）
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