第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
7月28日，粵芯半導體官微消息顯示，粵芯半導體新建12英寸集成電路模擬特色工藝生產線項目（三期）主廠房順利封頂。三期項目將進入潔凈室和動力安裝建設階段，預計明年年初工藝設備搬入。
粵芯半導體表示，三期項目從開工至今，進場建設工人高達2500余人，土方處理量約16萬立方米，完成26萬立方米砼澆筑，實現210萬總安全工時。工程總建筑面積約82萬平方米，除主廠房外，還包括動力廠房、柴發機房、廢水處理站、大宗氣站等區域。
據介紹，三期項目在一、二期項目的基礎上，持續瞄準工業電子和汽車電子領域，在已有技術平臺基礎上重點聚焦工藝平臺質量規格的精進；緊握粵港澳大灣區產業終端優勢，深度與國內工業芯片終端用戶和汽車終端廠家及一級供應商合作，給客戶提供更優、更高品質的產品。粵芯半導體將繼續加快推動總投資162.5億元的三期項目建設，力爭在2024年全面建成并完成投產。
來源：集微網
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測，到2026年，碳化硅產品市場將達35億美元，氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來，國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產業鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集，是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業，8英寸襯底正在探索商業化量產，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關注碳化硅、氮化鎵產業鏈前景，最新襯底、外延、器件技術與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術與應用。參觀第三代半導體重點企業與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發展的影響
第三代半導體市場及產業發展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術與設備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產化進程和技術突破?
SiC市場以及技術發展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術進展
大尺寸GaN長晶難點及技術展望
GaN材料技術進展
SiC與GaN器件與下游應用
功率器件封裝技術與材料
新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業參觀與考察（重點企業或園區）
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