第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
當地時間21日，美國商務部下屬工業和安全局(BIS)發布聲明，稱將33個實體從“未經驗證清單”（UnverifiedList，簡稱UVL）剔除，其中27個實體位于中國，其他實體位于印度尼西亞、巴基斯坦、新加坡、土耳其和阿拉伯聯合酋長國。
圖：BIS聲明截圖
聲明稱，這一決定于21日對外公開展示，并將于次日（22日）在《聯邦公報》上公布后生效。
美國商務部負責出口執法事務的助理部長馬修·阿克塞爾羅德（MatthewS.Axelrod）表示，“我們將33家實體排除在（清單）外，表明了當企業或政府與工業和安全局合作，并成功完成最終用途核查后，它們會得到獲利。”
根據BIS的公告和相關法規說明，外國實體被列入未經驗證清單的原因并非直接違反了《出口管理條例》（EAR），而是在BIS對相關美國受控物項的外國交易方進行許可前審查或者發貨后跟進核查的過程中，美國管制物項目的地國家或地區的最終用戶或收貨人不予配合、配合不充分、無法取得聯系，從而導致BIS無法對這些實體進行最終用途核查，但該實體存在的問題或BIS發現的證據均不足以將該實體列入更嚴厲的“實體清單（EntityList）”，因此將此類外國實體列入UVL清單。
根據安永（中國）企業咨詢的分析，列入清單對中國企業的影響主要體現在供應鏈上。安永中國認為，不同于BIS的實體清單，UVL更大程度上是作為一種過渡性的“待觀察清單”和“懷疑清單”，即美方懷疑相關實體的出口管制商品最終用途可能損害美國國家利益，但美方并不具有實質性的證據，因此將其納入UVL。其本質目的是為了迫使相關實體配合BIS檢查，并沒有完全剝奪其在美國境內的貿易機會。不過一旦美方擁有實質性證據，相關實體也可能被列入實體清單、被拒絕人清單等“制裁清單”中。
被列入UVL的企業供應鏈穩定性會受到沖擊。與此同時美國的出口商會更謹慎地對待與這些企業合作關系，甚至會選擇拒絕與被列入UVL的中國企業合作以降低潛在的風險。企業在被列入UVL后應積極采取行動，保障供應鏈正常運行，以減少經濟損失并維護企業聲譽。
2022年2月7日，美商務部宣布將33家中國實體列入出口管制“未經驗證清單”。對此，中國商務部表示，近年來，美方將出口管制作為政治打壓和經濟霸凌的工具，不斷采取單邊措施對他國企業、機構和個人進行打壓遏制，給中美企業間正常經貿合作制造困難和障礙，對國際經貿秩序和自由貿易規則造成嚴重破壞，對全球產業鏈供應鏈造成嚴重威脅，這不利于中國，不利于美國，也不利于整個世界。美方應立即糾正錯誤做法，回到合作共贏的正確軌道上來，與國際社會一道，為全球產業鏈供應鏈穩定和世界經濟復蘇多做貢獻。
本次被移出清單企業包括：
來源：今日半導體
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測，到2026年，碳化硅產品市場將達35億美元，氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來，國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產業鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集，是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業，8英寸襯底正在探索商業化量產，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關注碳化硅、氮化鎵產業鏈前景，最新襯底、外延、器件技術與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術與應用。參觀第三代半導體重點企業與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發展的影響
第三代半導體市場及產業發展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術與設備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產化進程和技術突破?
SiC市場以及技術發展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術進展
大尺寸GaN長晶難點及技術展望
GaN材料技術進展
SiC與GaN器件與下游應用
功率器件封裝技術與材料
新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業參觀與考察（重點企業或園區）
最新日程如下
會議日程 |
寬禁帶器件應用中的機遇與挑戰（題目暫定） ——廈門三安光電有限公司（已定） |
中國第三代半導體產業布局情況（題目暫定） ——中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟（已定） |
SiC單晶生長技術淺析及應用展望（題目暫定） ——山西爍科晶體有限公司（已定） |
國產碳化硅功率器件機遇和挑戰（題目暫定） ——安徽芯塔電子科技有限公司（已定） |
國產SiC MOSFET發展要點淺析 ——泰科天潤半導體科技（北京）有限公司（已定） |
用于汽車半導體的碳化硅MOSFET解決方案（題目暫定） ——深圳基本半導體有限公司（已定） |
大尺寸碳化硅單晶工藝控制 ——山東天岳先進材料科技有限公司（待定） |
碳化硅晶體的生長技術，PVT法及液相法 ——中國電子科技集團公司第二研究所（待定） |
大尺寸碳化硅晶圓制造技術難點 ——上海積塔半導體有限公司（待定） |
Si基GaN器件及系統研究與產業前景 ——南方科技大學（待定） |
氮化鎵同質外延功率/射頻器件應用與相關單晶襯底制備技術的研發進展 ——東莞中鎵半導體科技有限公司（待定） |
中國第三代半導體供應鏈現狀 ——廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司（待定） |
GaN在車用功率半導體的應用 ——蘇州晶方半導體科技股份有限公司（待定） |
*以上演講報告列表將隨著會議邀請工作進展不斷更新，最終版以會場發布為準。
若您有意向參與演講、贊助或參會，歡迎聯系我們！（見文末）
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中國大陸晶圓廠當月設備中標數據表（月度更新）
中國大陸上月半導體前道設備進口數據表（月度更新）
中國大陸半導體大硅片項目地圖（月度更新）
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