近日，蘇州中科重儀半導體材料有限公司（以下簡稱“中科重儀”）自主研發的應用于電力電子領域的大尺寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片生產線正式建成并投入使用。
據介紹，中科重儀生產的氮化鎵外延片，氮化鎵層厚度約5μm表面無裂紋，翹曲度小于100μm。HEMT結構室溫下，方塊電阻為465Ω/sq，二維電子氣（2DEG）濃度約8×1013cm-2、2DEG遷移率大于2000 cm2/Vs，片內與片間不均勻性小于1%，可以滿足電力電子領域功率器件開發與應用需求。
中科重儀表示，其自主研發的電力電子方向硅基氮化鎵外延片生產線具有氣源預處理功能，核心反應腔內對溫場、流場均勻性強化控制，加入應力翹曲模型，更加適合大尺寸氮化鎵材料生長。同時自動化控制、監測、分析平臺，可快速優化外延片生長工藝，縮短工藝調整周期。經過抗壓測試和材料生長結果表明，設備具有很好的穩定性和工藝重復性。
2023年，中科重儀在蘇州吳江區建立了國內首條采用國產化MOCVD設備生產的8英寸硅基氮化鎵外延產線，單條產線年產能達5000片。投入運營后，將實現氮化鎵材料綜合生產成本降低50%以上，為市場提供氮化鎵外延片產品，更好地助力電力電子器件實現高性能、高可靠性及低成本的生產目標。
來源：全球半導體觀察
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