三星電子決定將其西安NAND閃存工廠過渡到200層NAND工藝。三星生產236層（第8代）NAND產品的舉措被視為克服全球NAND需求低迷而導致業績下降的戰略步驟。
業內消息人士透露，三星高管已批準其西安工廠的NAND工藝升級，并已開始廣泛的擴張工作。三星已開始為這一轉型采購最新的半導體設備，新設備預計將在2023年底交付。
三星西安工廠是該公司唯一的海外存儲半導體生產基地。自2014年建成以來，西安工廠于2020年擴建了第二家工廠，現已發展成為全球最大的NAND制造基地，每月可生產20萬片12英寸晶圓。它占三星NAND總產量的40%以上。在此背景下，三星計劃2024年在西安工廠陸續引進可生產236層（第8代）NAND的設備。
三星決定升級西安工廠主要有兩個原因。第一，在NAND閃存市場狀況沒有出現復蘇跡象的情況下，保持其在NAND市場的全球領先地位。去年底開始的IT市場低迷和半導體市場疲軟影響了三星NAND業務，導致未售出庫存增加，隨后虧損擴大。
即使通過政策減產后，業績提升依然緩慢，促使其打出工藝升級牌。隨著最新第8代產品的量產，不僅可以保證價格競爭力和需求，而且考慮到第8代比第6代有更多的工藝步驟，晶圓投入自然可減少30%左右。這意味著有潛力平衡市場需求和供應。
事實上，三星在今年4月份就正式宣布減產。作為第6代（128層）V-NAND主要生產基地的西安工廠開工率也大幅下降。由于傳統產品（128層）市場需求有限，且無法確保價格競爭力，據了解，工廠整體開工率降至20%左右。
流程轉變的另一個原因是美國暫時緩和了三星和SK海力士在中國運營工廠的半導體法規。去年10月，美國政府要求授權向中國本土芯片生產基地出售美國制造的設備，用于制造128層以上、14nm或以下的NAND閃存和18nm或以下的DRAM內存。隨著美國政府宣布對三星電子和SK海力士等半導體公司實施為期一年的豁免出口管制，韓國半導體企業對中國工廠運營可能受到限制的擔憂和焦慮加劇。
不過，今年10月13日，美國商務部工業和安全局（BIS）正式宣布，三星電子和SK海力士的中國工廠將無限期豁免美國針對中國的半導體設備管制，意味著三星和SK海力士所需的半導體制造設備得以獲準入境。
