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上周,電源工程師培訓(xùn)授證項(xiàng)目 2024 系列培訓(xùn)兩天連播,火熱來襲!首期直播以時(shí)下熱門話題氮化鎵切入,TI 專家和學(xué)術(shù)先鋒針對(duì) GaN HEMT 器件的研究現(xiàn)狀、特點(diǎn)及應(yīng)用開展了深入淺出的講解。
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氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體,與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 相比,它可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
培訓(xùn)話題:?
為什么要使用 GaN 和 GaN HEMT?
GaN HEMT 的發(fā)展歷程和產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
GaN HEMT 的特點(diǎn)及應(yīng)用考慮
GaN HEMT 的應(yīng)用實(shí)例
小結(jié)






