當今世界面臨著環境問題和資源枯竭等各種社會課題，對于企業而言，面對這些課題采取何種舉措也變得越來越重要。通過電子技術來解決這些社會課題是羅姆的使命，而“企業宣言”則更加清晰地體現了這一使命。羅姆將用自己的電子技術優勢來解決各種社會課題，并面向未來，持之以恒地為人們豐富多彩的生活和社會的發展與進步提供支持。
作為實現無碳社會和進一步節能的關鍵元器件，功率半導體和模擬半導體發揮這舉足輕重的作用，同時社會和客戶對此類產品的期望也越來越高。據了解，“電機”和“電源”所消耗的電力占全球大部分的耗電量，提高它們的效率是羅姆為實現無碳社會所承擔的重要使命。羅姆集開發、生產和銷售于一體，在預見需求的同時，整合并不斷提高功率電子和模擬技術，助力客戶實現產品的“節能”和“小型化”，進而為解決社會課題做出貢獻。
與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC讓設計人員能夠減少元件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環保型產品和系統。
羅姆在SiC功率元器件和模塊的開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的應用中都實現了更佳的節能效果。
第4代SiC MOSFET在改善短路耐受時間的前提下實現了業內超低導通電阻。另外，還具有低開關損耗和支持15V柵-源電壓等特點，有助于設備進一步節能。
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GaN（氮化鎵）是一種化合物半導體材料，作為下一代功率器件用的材料被寄予厚望。與以往的Si器件相比，其開關性能和高頻性能更加出色，因而在市場上的應用日益廣泛。不僅如此，其導通電阻也低于Si器件，有望助力眾多應用實現更低功耗和小型化。
ROHM將有助于應用產品的節能和小型化的GaN器件命名為“EcoGaN?系列”，并始終致力于進一步提高器件的性能。另外，ROHM不僅致力于元器件的開發，還與業內相關企業積極建立戰略合作伙伴關系并推動聯合開發，通過助力應用產品的效率提升和小型化，持續為解決社會問題貢獻力量。
* EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
1）2021年，羅姆確立了8V柵極-源極額定電壓技術的150V GaN器件技術。
2）2022年，羅姆首次量產第一代EcoGaN?系列150V 耐壓的 GaN HEMT。憑借其獨特的結構，羅姆成功地將柵極-源極額定電壓從普通GaN產品的6V提高到8V，提升了GaN器件電源電路的設計裕度和可靠性。
3）2023年4月，羅姆又量產了650V耐壓GaN HEMT，至此同時提供了150V和650V GaN分立式器件。
此外，為了充分提高GaN HEMT的低損耗和高速開關性能，使器件應用更加穩定可靠，羅姆不僅注重提高GaN HEMT單體的性能，還不斷改進驅動技術和控制技術，讓GaN器件在各種應用中進一步普及。
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在各種應用產品中，通常使用二極管來實現反接保護和電路整流等電路保護。隨著各種應用產品對更低功耗的要求，比其他二極管效率更高的SBD正越來越多地被采用。另一方面，如果為了追求效率而降低VF，則存在權衡關系的IR會升高，熱失控的風險會隨之增加，因此在設計電路的過程中，選擇SBD時需要很好地權衡VF和IR。在這種背景下，ROHM加強了追求低VF和低IR特性之間平衡的SBD系列的產品陣容，以車載市場為中心創造了非常優異的業績。
羅姆最新的SBD產品有5個系列，客戶可以根據對VF和IR的不同重視程度，從豐富的產品陣容中選擇合適的產品。另外，每個系列都有豐富的封裝陣容，客戶還可以根據應用產品的性能要求選擇小型封裝。下面將對每種產品的特點分別展開介紹。
該系列的VF最低，在主要用于正向電路中的損耗可大幅降低，非常適用于智能手機等使用電池低電壓驅動的移動設備中的整流應用。
目標應用：筆記本電腦、移動設備等。
該系列為通用型產品，與相同尺寸的羅姆以往產品相比，VF特性降低約25%。在車載應用中，正向損耗非常少，因此作為要求更高效率的汽車信息娛樂系統和車載LED燈等的保護二極管，非常受歡迎。2021年8月，封裝陣容中又新增了車載用超小型PMDE封裝，可滿足市場對更小封裝的需求。
目標應用：車載信息娛樂系統、車載LED燈、車載ECU、筆記本電腦等。
該系列利用羅姆自有的勢壘形成技術，在VF特性與IR特性之間取得了良好的平衡。與羅姆以往產品相比，其反向功率損耗降低了60%，因此可以降低熱失控風險，非常適用于需要在高溫環境下運行的引擎ECU整流應用、高輸出功率LED前照燈的保護應用、以及大電流工業設備電源等應用。
目標應用：xEV、引擎ECU、高輸出功率LED前照燈、工業設備電源等。
該系列產品具有超低IR，可以降低熱失控風險，非常適用于需要在高溫環境下運行的xEV電池和電機相關ECU、以及燃油車引擎ECU和變速箱ECU等的整流應用。該系列支持耐壓高達200V，可以替換通常在這個耐壓范圍使用的整流二極管和快速恢復二極管，并可以大幅降低VF（與FRD相比，降低約11%），還有助于降低上述車載應用中的功耗。
目標應用：xEV電池管理系統、引擎ECU、工業設備逆變器等。
通過采用新技術和獨特的溝槽MOS結構，該系列的VF值和IR值都低于以往傳統的平面結構，在一般溝槽MOS結構中因構造惡化的TRR也得到了改善，達到了與平面結構傳統產品相當的水平（業界較高級別）。因此不容易發生熱失控，并且可以降低開關損耗，因此非常適合需要高速開關的應用，例如容易發熱的汽車LED前照燈驅動電路和xEV的DC-DC轉換器。
目標應用：汽車LED頭燈、xEV DC-DC轉換器、工業設備電源、照明等。
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肖特基二極管（SBD）介紹頁
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除此以外，羅姆還在多個應用領域不斷地推出更低功耗、更高效率的產品與技術。在未來，羅姆將進一步擴充產品陣容，為應用的進一步小型化和低功耗做出貢獻。
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