IGBT基礎知識匯總！

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）

IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT最主要的作用就是把高壓直流變?yōu)榻涣鳎约白冾l（所以用在電動車上比較多）。

忽略復雜的半導體物理推導過程，下面是簡化后的工作原理。

IGBT有N溝道型和P溝道型兩種，主流的N溝道IGBT的電路圖符號及其等效電路如下：

IGBT與MOSFET不同，內部沒有寄生的反向二極管，因此在實際使用中(感性負載)需要搭配適當的快恢復二極管。

1、具有更高的電壓和電流處理能力。

2、極高的輸入阻抗。

3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。4、電壓控制裝置，即它沒有輸入電流和低輸入損耗。

5、柵極驅動電路簡單且便宜，降低了柵極驅動的要求

6、通過施加正電壓可以很容易地打開它，通過施加零電壓或稍微負電壓可以很容易地關閉它。

7、具有非常低的導通電阻。

8、具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。

9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。10、具有比 BJT 更高的開關速度。

11、可以使用低控制電壓切換高電流電平。12、雙極性質，增強了傳導性。

13、安全可靠。

1、開關速度低于 MOS管。

2、因為是單向的，在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形。

3、不能阻擋更高的反向電壓。

4、比 BJT 和 MOS管價格更高。

5、類似于晶閘管的P-N-P-N結構，因此它存在鎖存問題

1、集電極-發(fā)射極額定電壓UCES是IGBT在截止狀態(tài)下集電極與發(fā)射極之間能夠承受的最大電壓，一般UCES小于或等于器件的雪崩擊穿電壓。

2、柵極-發(fā)射極額定電壓UGE是IGBT柵極與發(fā)射極之間允許施加的最大電壓，通常為20V。柵極的電壓信號控制IGBT的導通和關斷，其電壓不可超過UGE。

3、集電極額定電流IC是IGBT在飽和導通狀態(tài)下，允許持續(xù)通過的最大電流。

4、集電極-發(fā)射極飽和電壓UCE是IGBT在飽和導通狀態(tài)下，集電極與發(fā)射極之間的電壓降。該值越小，則管子的功率損耗越小。

5、開關頻率在IGBT的使用說明書中，開關頻率是以開通時間tON、下降時間t1和關斷時間tOFF給出的，根據這些參數可估算出IGBT的開關頻率，一般可達30～40kHz。在變頻器中，實際使用的載波頻率大多在15kHz以下。

IGBT靜態(tài)特性曲線包括轉移特性曲線和輸出特性曲線：其中左側用于表示IC-VGE關系的曲線叫做轉移特性曲線，右側表示IC-VCE關系的曲線叫做輸出特性曲線。

1、轉移特性曲線

IGBT的轉移特性曲線是指輸出集電極電流IC與柵極-發(fā)射極電壓VGE之間的關系曲線。

為了便于理解，這里我們可通過分析MOSFET來理解IGBT的轉移特性。

當VGS=0V時，源極S和漏極D之間相當于存在兩個背靠背的pn結，因此不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓，總有一個pn結處于反偏狀態(tài)，漏、源極間沒有導電溝道，器件無法導通，漏極電流ID為N+PN+管的漏電流，接近于0。

當0，柵極電壓增加，柵極G和襯底p間的絕緣層中產生電場，使得少量電子聚集在柵氧下表面，但由于數量有限，溝道電阻仍然很大，無法形成有效溝道，漏極電流ID仍然約為0。

當VGS≥VGS（th）時，柵極G和襯底p間電場增強，可吸引更多的電子，使得襯底P區(qū)反型，溝道形成，漏極和源極之間電阻大大降低。此時，如果漏源之間施加一偏置電壓，MOSFET會進入導通狀態(tài)。在大部分漏極電流范圍內ID與VGS成線性關系，如下圖所示。

這里MOSFET的柵源電壓VGS類似于IGBT的柵射電壓VGE，漏極電流ID類似于IGBT的集電極電流IC。IGBT中，當VGE≥VGE（th）時，IGBT表面形成溝道，器件導通。

2、輸出特性曲線

IGBT的輸出特性通常表示的是以柵極-發(fā)射極電壓VGE為參變量時，漏極電流IC和集電極-發(fā)射極電壓VCE之間的關系曲線。

由于IGBT可等效理解為MOSFET和PNP的復合結構，它的輸出特性曲線與MOSFET強相關，因此這里我們依舊以MOSFET為例來講解其輸出特性。

其中當VDS>0且較小時，ID隨著VDS的增大而增大，這部分區(qū)域在MOSFET中稱為可變電阻區(qū)，在IGBT中稱為非飽和區(qū)；

當VDS繼續(xù)增大，ID-VDS的斜率逐漸減小為0時，該部分區(qū)域在MOSFET中稱為恒流區(qū)，在IGBT中稱為飽和區(qū)；

當VDS增加到雪崩擊穿時，該區(qū)域在MOSFET和IGBT中都稱為擊穿區(qū)。

IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

MOSFET與IGBT在線性區(qū)之間存在差異（紅框所標位置）。

這主要是由于IGBT在導通初期，發(fā)射極P+/N-結需要約為0.7V的電壓降使得該結從零偏轉變?yōu)檎鶎е碌摹?/span>

1、IGBT額定電壓的選擇三相380V輸入電壓經過整流和濾波后，直流母線電壓的最大值：在開關工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據IGBT規(guī)格的電壓等級，選擇1200V電壓等級的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇以30kW變頻器為例，負載電流約為79A，由于負載電氣啟動或加速時，電流過載，一般要求1分鐘的時間內，承受1.5倍的過流，擇最大負載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級的IGBT。

3、IGBT開關參數的選擇變頻器的開關頻率一般小于10kHZ，而在實際工作的過程中，IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大，建議選擇低通態(tài)型IGBT。

4、影響IGBT可靠性因素：

（1）柵電壓IGBT工作時，必須有正向柵電壓，常用的柵驅動電壓值為15～187，最高用到20V， 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關系，在設計IGBT驅動電路時， 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值，設計合適驅動參數，保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態(tài)與正向棚電壓有很大關系，正向柵電壓越高，開通損耗越小，正向壓降也咯小。

在橋式電路和大功率應用情況下，為了避免干擾，在IGBT關斷時，柵極加負電壓，一般在-5- 15V，保證IGBT的關斷，避免Miller效應影響。

（2）Miller效應為了降低Miller效應的影響，在IGBT柵驅動電路中采用改進措施：

①開通和關斷采用不同柵電阻Rg,ON和Rg,off，確保IGBT的有效開通和關斷;

②柵源間加電容c，對Miller效應產生的電壓進行能量泄放;

③關斷時加負柵壓。在實際設計中，采用三者合理組合，對改進Mille r效應的效果更佳。

IGBT最主要的作用就是高壓直流轉交流，以及變頻；

1、新能源汽車

IGBT是電動汽車及充電樁等設備的核心技術部件，在電動汽車中發(fā)揮著至關重要的作用，主要作用于電動車汽車的充電樁、電動控制系統(tǒng)以及車載空調控制系統(tǒng)。
（1）電動控制系統(tǒng)
作用于大功率直流/交流(DC/AC)逆變后汽車電機的驅動；
（2）車載空調控制系統(tǒng)
作用于小功率直流/交流(DC/AC)的逆變；
（3）充電樁
智能充電樁中被作為開關元件使用；

2、智能電網

智能電網的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端均需使用IGBT。
（1）發(fā)電端
風力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需使用IGBT。
（2）輸電端
特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需大量使用IGBT。
（3）變電端
IGBT是電力電子變壓器的關鍵器件。
（4）用電端
家用白電、 微波爐、LED照明驅動等都對IGBT有大量的需求。

3、軌道交通

眾所周知，交流傳動技術是現代軌道交通的核心技術之一，在交流傳動系統(tǒng)中牽引變流器是關鍵部件，而IGBT又是牽引變流器最核心的器件之一，可以說該器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。