隨著低空經(jīng)濟、人工智能算力、光通信、6G通信等行業(yè)飛速發(fā)展,GPU/射頻/電力電子/光電/激光/LED技術(shù)加速迭代,器件功率密度突破300W/cm2。傳統(tǒng)氮化鋁、氧化鋁陶瓷基板短板凸顯,單層金屬載流能力不足、層間互連熱阻高、高頻信號損耗偏大。普通金剛石單面金屬基板無法實現(xiàn)上下電路立體集成,成為高端器件小型化、高功率化的核心瓶頸。行業(yè)長期缺乏兼顧超高導(dǎo)熱、大電流承載、垂直互連一體化的基板方案。 針對產(chǎn)業(yè)痛點,河南科之誠第三代半導(dǎo)體碳基芯片有限公司完成金剛石基雙層基板成套工藝攻關(guān),實現(xiàn)雙面50μm以上厚銅精密圖形+金剛石基底垂直金屬通孔互連一體化量產(chǎn)能力,補齊國產(chǎn)金剛石基板立體集成技術(shù)短板。
整套工藝以自主MPCVD高導(dǎo)熱金剛石晶片為基底,通過低應(yīng)力種子層沉積、厚銅圖形化、金剛石通孔金屬化一體化制程,上下表面均可制備50μm以上加厚銅布線。區(qū)別于薄金屬薄膜基板,厚銅結(jié)構(gòu)大幅降低線路歐姆損耗,可承載大功率功放持續(xù)大電流輸出;基底通孔填充致密銅導(dǎo)體,構(gòu)建垂直低阻導(dǎo)熱、導(dǎo)電雙通道,徹底規(guī)避多層陶瓷分層、空洞失效問題。整套結(jié)構(gòu)中金剛石作為連續(xù)絕緣導(dǎo)熱基體,銅線路依附基底成型,不存在懸空布線,界面冶金結(jié)合強度穩(wěn)定達標,耐-40℃~150℃冷熱循環(huán)沖擊。
對比市面主流基板,科之誠金剛石雙層厚銅通孔基板具備三重核心優(yōu)勢。其一散熱性能斷層領(lǐng)先,金剛石基底熱導(dǎo)率1300W/(m·K)以上,是氮化鋁陶瓷6倍以上,快速疏導(dǎo)芯片局域熱點,有效抑制器件熱退化;其二雙面厚銅電氣性能適配多種器件芯片布線設(shè)計及功率耐受設(shè)計;其三垂直通孔縮短信號路徑,降低信號損耗,提升器件設(shè)計靈活性,集成度顯著提升,單塊基板可同步布局功率電路、控制線路,替代多基板拼接方案,縮小器件體積30%以上。
該產(chǎn)品落地場景覆蓋全高端射頻領(lǐng)域:2–18GHz寬帶射頻芯片、T/R組件、6G毫米波基站前端、大功率激光/光電/LED驅(qū)動基板等廣泛領(lǐng)域。同時適配半導(dǎo)體先進封裝,可與硅基IPD、HTCC陶瓷基板搭配,為多芯粒異構(gòu)集成提供高熱流承載載體。
依托完整自主產(chǎn)業(yè)鏈,科之誠已打通金剛石沉積、超精密研磨、雙面厚銅圖形、通孔金屬化全流程工藝,支持定制化線路版圖與銅厚規(guī)格,可為科研院所、芯片企業(yè)提供流片驗證與批量交付服務(wù)。此次金剛石雙層基板工藝落地,進一步完善國產(chǎn)碳基熱管理材料矩陣,打破海外高端基板技術(shù)壁壘,為我國第三代半導(dǎo)體、大功率器件裝備國產(chǎn)化提供核心基材支撐。
信息來源:河南科之誠第三代半導(dǎo)體碳基芯片
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