今天，“行家說三代半”獲悉，國產(chǎn)氮化鎵再次實現(xiàn)新的突破——西安電子科技大學(xué)聯(lián)合廣東致能科技首次展示了全球首片8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓器件，器件主要包含幾個突出優(yōu)勢：
●?調(diào)控外延工藝，外延片不均勻性控制在4%以內(nèi)；
●?HEMTs器件的cp測試良率超過95%；
●?擊穿電壓輕松突破2000 V。
西安電子科技大學(xué)&致能科技：
全球首發(fā)8英寸GaN HEMTs
4月10日，在2024武漢九峰山論壇上，西安電子科技大學(xué)郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊與廣東致能科技聯(lián)合攻關(guān)，首次展示了全球首片8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓。
據(jù)李祥東教授在會上介紹，通過調(diào)控外延工藝，其GaN外延片不均勻性控制在4%以內(nèi)，所制備的HEMTs器件的cp測試良率超過95%，擊穿電壓輕松突破2000V。
李祥東教授在2024武漢九峰山論壇上報道8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓
據(jù)行業(yè)人士推測，該8英寸藍(lán)寶石基GaN HEMTs晶圓器件具有標(biāo)志性意義，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圓線上實現(xiàn)了量產(chǎn)，然而在8英寸線上實現(xiàn)2000V級別的GaN器件的展示尚屬首次。
8英寸晶圓將是GaN成為主流電力電子器件的必由之路，其成本將極具競爭優(yōu)勢：
● 一方面，由于轉(zhuǎn)向8英寸晶圓，每片GaN HEMTs晶圓的芯片數(shù)將比6英寸晶圓多近2倍，GaN器件成本與6英寸方案相比也將大幅下降。
另一方面，采用藍(lán)寶石襯底可以大幅提升GaN耐壓，市場應(yīng)用從消費類轉(zhuǎn)向工業(yè)和汽車等領(lǐng)域，需求進一步打開，而隨著8英寸藍(lán)寶石襯底制備工藝的日趨成熟和大批量出貨，氮化鎵器件成本也有望進一步下降。
關(guān)于西安電子科技大學(xué)廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心
廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心是廣州開發(fā)區(qū)管理委員會與西安電子科技大學(xué)共建的重大產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新平臺。聚焦大尺寸氮化鎵材料外延生長、氮化鎵微波毫米波器件與集成電路、氮化鎵電力電子器件與集成電路等技術(shù)領(lǐng)域，建設(shè)高標(biāo)準(zhǔn)的研發(fā)代工公共服務(wù)平臺和產(chǎn)業(yè)支撐體系，建設(shè)中試線，進行工程化技術(shù)開發(fā)，積極進行科技成果轉(zhuǎn)化，孵化初創(chuàng)企業(yè)，促進第三代半導(dǎo)體上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)公司和人才在廣州開發(fā)區(qū)聚集，協(xié)助推進第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在廣州開發(fā)區(qū)落地。
關(guān)于廣東致能科技有限公司
廣東致能科技有限公司成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等地設(shè)有生產(chǎn)研發(fā)基地和市場銷售中心。公司致力于氮化鎵功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)，已建成外延、器件、封裝、系統(tǒng)的全鏈條研發(fā)及生產(chǎn)能力。公司在常關(guān)型、垂直溝道氮化鎵功率器件等方面擁有多項獨特技術(shù)發(fā)明，具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)。公司產(chǎn)品創(chuàng)新性強、可靠性高、應(yīng)用廣泛，具有非常強的市場競爭力。
公司采用垂直整合制造模式（IDM），已量產(chǎn)的第一代氮化鎵功率器件產(chǎn)品在生產(chǎn)良率、工藝水平、系統(tǒng)效率及可靠性試驗等方面已做到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，產(chǎn)品在手機快充、電源適配器、照明驅(qū)動、通信電源、儲能電源等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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