4月10日，在2024武漢九峰山論壇上，西安電子科技大學郝躍院士、張進成教授課題組李祥東團隊與廣東致能科技聯合攻關，首次展示了全球首片8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓。
據李祥東教授在會上介紹，通過調控外延工藝，其GaN外延片不均勻性控制在4%以內，所制備的HEMTs器件的cp測試良率超過95%，擊穿電壓輕松突破2000V。
李祥東教授在2024武漢九峰山論壇上報道8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓
據行業人士推測，該8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓器件具有標志性意義，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圓線上實現了量產，然而在8英寸線上實現2000V級別的GaN器件的展示尚屬首次。
8英寸晶圓將是GaN成為主流電力電子器件的必由之路，其成本將極具競爭優勢：
一方面，由于轉向8英寸晶圓，每片GaN HEMTs晶圓的芯片數將比6英寸晶圓多近2倍，GaN器件成本與6英寸方案相比也將大幅下降。
另一方面，采用藍寶石襯底可以大幅提升GaN耐壓，市場應用從消費類轉向工業和汽車等領域，需求進一步打開，而隨著8英寸藍寶石襯底制備工藝的日趨成熟和大批量出貨，氮化鎵器件成本也有望進一步下降。
第三，疊加致能自主開發的超薄緩沖層和簡單場板設計等優勢，藍寶石基GaN HEMTs晶圓成本還可降至更低。
來源：行家說三代半、集邦化合物半導體
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