近日，國內領先的半導體材料異質集成技術企業青禾晶元宣布，在絕緣體上碳化硅（SiC-on-Insulator，簡稱SiCOI）材料的制備技術上取得了重大突破，成功實現了高質量晶圓級SiCOI的規模化生產。這一成就不僅標志著青禾晶元在半導體材料領域的科研實力和技術創新能力達到了新的高度，更為我國乃至全球半導體產業的發展注入了強勁動力。
SiCOI作為一種具有優異性能的半導體復合材料，結合了碳化硅（SiC）的高導熱性、高擊穿電壓的優勢和絕緣體的良好電學隔離性能，被廣泛應用于集成光子學、量子光學、功率器件等多個高科技領域。然而，高質量SiCOI材料的制備一直是一項極具挑戰性的任務，需要解決晶圓鍵合、微納加工等多個技術難題，業內前期探索主要是小尺寸樣品的制備嘗試。
