近日據(jù)知情人士透露，韓國設(shè)備廠商韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）通知中國客戶，將暫停供應(yīng)熱壓鍵合機（TC Bonder）。要知道，熱壓鍵合是生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片的核心裝備，韓國此次斷供明顯是沖著中國HBM產(chǎn)業(yè)來的，企圖將打斷中國HBM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進程。一、熱壓鍵合：HBM芯片的“精密焊工”
我們知道自從人工智能爆發(fā)以來，HBM就成為炙手可熱的核心部件之一，其是一種通過垂直堆疊多層DRAM芯片實現(xiàn)高帶寬、低功耗的內(nèi)存技術(shù)，廣泛應(yīng)用于AI芯片、高性能計算（HPC）等領(lǐng)域。
而TC Bonder的作用，正是將這些芯片像“疊積木”一樣精準(zhǔn)地堆疊并鍵合，確保電氣連接和散熱性能。其核心工藝涉及三個關(guān)鍵點：
1、亞微米級對準(zhǔn)精度：芯片間的凸點（Bump）需精準(zhǔn)對接，誤差需控制在±1微米內(nèi)，否則會導(dǎo)致短路或信號失效。
2、高溫高壓控制：通過瞬間升溫至300°C以上（升溫速率達100°C/s）熔化錫球，再施加壓力使芯片鍵合，最后快速冷卻固化。整個過程需在數(shù)秒內(nèi)完成，對溫度曲線的控制要求極高。
3、良率決定者：TC Bonder的精度和穩(wěn)定性直接決定了HBM的良率。例如，12層堆疊的HBM3E芯片若鍵合失誤，可能直接報廢，損失高達數(shù)千美元。
也就是說，沒有TC Bonder，HBM芯片的復(fù)雜堆疊結(jié)構(gòu)就無從實現(xiàn)。甚至全球存儲巨頭（如SK海力士、三星）在擴產(chǎn)HBM時，TC Bonder的采購優(yōu)先級甚至高于光刻機。
巧合的是，當(dāng)前全球TC Bonder設(shè)備主要被相關(guān)的韓國廠商所壟斷。如上述提到的韓美半導(dǎo)體（Hanmi Semiconductor）占據(jù)HBM3E設(shè)備90%的市場份額，獨家供應(yīng)SK海力士的12層堆疊工藝，單臺設(shè)備售價約20億韓元（約合人民幣1000萬元）。其最新型號“Griffin”支持TC+MUF混合工藝，已獲美光大額訂單。其次，不得不提的是三星子公司SEMES，其主攻TC-NCF工藝，2024年出貨量達到了2500億韓元，并研發(fā)混合鍵合技術(shù)以適配下一代HBM4。另外，日本新川（Shinkawa）和東麗（Toray）提供高精度熱控模塊，也涉及TC Bonder設(shè)備部分核心環(huán)節(jié)。而當(dāng)前中國廠商中涉及TC Bonder設(shè)備的只有普萊信的“Loong系列”設(shè)備，雖然已實現(xiàn)±1μm精度，但尚未通過大規(guī)模量產(chǎn)驗證，且僅支持部分工藝（如TC-NCF），與韓國半導(dǎo)體廠商的技術(shù)代差的落后。并且當(dāng)前韓國廠商的壟斷地位不僅體現(xiàn)在單獨設(shè)備廠商，其已與存儲巨頭進行了深度綁定。例如，韓美半導(dǎo)體與SK海力士聯(lián)合研發(fā)設(shè)備，甚至根據(jù)客戶需求定制工藝參數(shù)，形成技術(shù)壁壘。這種“設(shè)備-制造”生態(tài)閉環(huán)，使得后來者極難突破。因此，此次斷供對中國HBM廠商的影響將是廣泛的。三、韓國斷供TC Bonder對中國HBM廠商的影響隨著人工智能需求的保障，HBM的應(yīng)用也越來越廣泛。在此背景之下，雖然韓國主導(dǎo)了全球HBM市場，但近期中國HBM的突破也在明顯增速。據(jù)公開消息，某國產(chǎn)存儲廠商已經(jīng)于2024年下半年實現(xiàn)了HBM2的量產(chǎn)，比原計劃提前了兩年。據(jù)說其目標(biāo)是在2026年實現(xiàn)量產(chǎn)第四代HBM3，2027年量產(chǎn)第五代HBM3E。也就是說，雖然中國整體HBM產(chǎn)業(yè)落后于韓國至少2年以上的時間，但追趕的速度是驚人的。因此，時常有韓國業(yè)界趕到恐慌。而此次，韓國斷供TC Bonder顯然有此考量。具體來說，如果韓國斷供TC Bonder成為實現(xiàn)，對中國HBM產(chǎn)業(yè)將以下幾個方面的挑戰(zhàn)。首當(dāng)其沖的就是，短期內(nèi)國產(chǎn)HBM產(chǎn)能的擴張將受到極大的限制。其次，就是國產(chǎn)HBM的良率或?qū)⒔档停啾榷?/span>國產(chǎn)設(shè)備良率若僅能達到80%，而韓國設(shè)備可達到95%，這也將導(dǎo)致晶圓加工的成本增加將近30%。最為嚴重的是，設(shè)備的斷供將使得國產(chǎn)HBM技術(shù)迭代的停滯；HBM3E已進入12層堆疊階段，下一代HBM4需更高精度的混合鍵合技術(shù)（Hybrid Bonding）。韓國企業(yè)已布局相關(guān)設(shè)備研發(fā)，而中國尚處于空白。
因此，發(fā)展國內(nèi)的TC Bonder，已經(jīng)刻不容緩！這不僅關(guān)系到國產(chǎn)HBM產(chǎn)業(yè)能否突圍，更深遠的影響在于，HBM是AI芯片的核心部件，斷供可能延緩中國AI芯片企業(yè)的算力升級，進而影響大模型訓(xùn)練等前沿領(lǐng)域的發(fā)展。
