Carbontech2025第九屆國際碳材料大會暨產業展覽會（12月9-11日 上海），以“材料創新驅動產業變革”為主線，構建覆蓋全產業鏈的三大主題展館，其中N1半導體碳材料館聚焦金剛石及超硬材料的最新成果與應用。
青島華芯晶電科技有限公司（以下簡稱華芯晶電）近日在氧化鎵晶體生長技術領域取得重要進展，經權威機構檢測，華芯晶電采用完全自主知識產權導模法生產的2英寸氧化鎵單晶質量達到國際先進水平。
通過持續優化生長裝備性能并嚴格驗證工藝穩定性，華芯晶電成功突破氧化鎵導模法生長技術瓶頸。研發團隊針對晶體生長過程中的溫度梯度控制、雜質元素分布調控及生長速率優化等關鍵技術環節建立精準控制體系，顯著改善了氧化鎵易產生孿晶缺陷等行業共性難題。三方檢測數據顯示，華芯晶電研制的2英寸氧化鎵晶體在位錯密度控制及搖擺曲線半高寬等核心質量指標上均達到國際先進水平，其中位錯密度為5440cm-2，搖擺曲線半高寬為71.33arcsec。
面向產業發展需求，華芯晶電一方面將持續投入研發資源，深化工藝流程、推進大尺寸晶體生長及高質量穩定性提升的技術攻關；另一方面將積極構建產業協同生態，加強與下游薄膜器件企業的聯合創新，重點推動氧化鎵晶體材料在高性能功率器件、光電探測等戰略領域的應用落地，為行業發展貢獻更多的力量。
