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對于需要常關(guān)器件的應(yīng)用，可以將低壓硅（Si） MOSFET與常開碳化硅（SiC） JFET串聯(lián)使用，以創(chuàng)建共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)。在這種設(shè)置中，SiC JFET負(fù)責(zé)處理高電壓，而Si MOSFET提供常關(guān)功能。這種組合充分利用了SiC JFET的高性能以及Si MOSFET易于控制的優(yōu)點(diǎn)。
安森美 Combo JFET 將一個(gè) SiC JFET 和一個(gè)低壓Si MOSFET 集成到一個(gè)封裝中，在滿足小尺寸需求的同時(shí)，還具有高性能的常關(guān)特性。 此外，通過各種柵極驅(qū)動(dòng)配置，該 Combo JFET 還提供了諸如與具有 5V 閾值的硅器件的柵極驅(qū)動(dòng)兼容性、更高可靠性和簡化速度控制等優(yōu)勢。
Combo JFET 將一個(gè) SiC JFET 和一個(gè)低壓Si MOSFET 集成到一個(gè)封裝中，SiC JFET 和低壓 MOSFET 的柵極均可使用。
圖 1 Combo JFET 結(jié)構(gòu)
由于 JFET 和低壓 MOSFET 柵極均可使用，Combo JFET 具有多種優(yōu)勢。 這些優(yōu)勢包括過驅(qū)動(dòng)（overdrive）時(shí) RDS（on）降低，通過外部cascode 簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路，通過 JFET 柵極電阻調(diào)節(jié)開關(guān)速度，以及通過測量柵極-源極壓降來監(jiān)測 JFET 結(jié)溫。
表 1 和圖 2 顯示了 Combo JFET產(chǎn)品和可用封裝。
表 1 Combo JFET產(chǎn)品清單
圖 2 Combo JFET封裝和原理圖
表 2 總結(jié)了 安森美 SiC Combo JFET器件的特性和優(yōu)勢。
表 2 安森美 SiC Combo JFET的特性和優(yōu)勢
本節(jié)評估的靜態(tài)特性包括 RDS（on）、峰值電流 (IDM)、RθJC（從結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻）。 對于電路保護(hù)和多路并聯(lián)應(yīng)用，dv/dt 可控性至關(guān)重要。 以 750V 5mOhm TOLL 封裝 (UG4SC075005L8S) 器件為例，評估其靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性。
未完待續(xù)，后續(xù)推文將繼續(xù)介紹靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、功率循環(huán)，并提供仿真工具、裝配指南、熱特性、可靠性和合格性文檔的相關(guān)鏈接。
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