在做MMIC LNA的芯片仿真之前,我把sorin的High Frequency Integrated Circuits。不過,此時此刻,好像記得的不多
。sorin的書中,提到說,管子的最小噪聲系數NFmin在Jopt(電流密度)下達到最小值。所以,我據此設置了管子的偏置電壓,不過在后期優化中,稍有變動。Sorin的書上有提到說,可以修改管子尺寸和源極到地的電感LS,可以讓最小噪聲系數對應的阻抗實部real(Zopt)和共軛匹配的阻抗實部real(Zin)都調到50ohm。不過,在這次用的這個工藝中,好像達不到這種的理想狀態。最后還是套用板級的設計,在最小噪聲系數對應的Zopt和最大增益對應的阻抗之間折中選了一個值。(2)然后看了教授推薦的Stephen的Nonlinear Microwave and RF circuits中的chap 8 Small-Signal Amplifiers,此時此刻,好像記得的也不多了。不過,以前看微波工程的時候,老糾結,為啥要搞這么多增益的定義。看了這本書,明白了。但是但是,想說明白點,我還要再回去看看,改天空下來了,我再仔細看看,然后寫文記錄一下。去ADS的Designguide的Amplifier里面調出模板,會發現里面有些也和這些的定義有關系。接著看了教授推薦的noise measure的相關內容,ADS里面沒有現成的函數,所以用AI寫了一個AEL程序,繪制noise measure circle的程序。干了這事以后,嗯,覺得SMITH圖里面的那些圓,好像底層都是差不多,反正所有的東西,都要和反射系數聯系起來,然后映射到SMITH圓圖上。(4)接著,看了一designguide-->amplifier下面的HB2Tone_loadpull的相關內容,知道了個大概,把IM3 contour和等增益圓放在一起,調整管子的尺寸和偏置,找到一個比較折中的點,在反射系數OK的情況下,獲得比較好的OIP3。幸虧有RPA,避免了長時間的重復勞動,最后篩選出了40篇左右的文獻,大概刷了一遍,主要就看些指標和架構。看文獻的時候,秘塔搜索也幫了大忙,對著原文看講解,讓讀文獻的時間壓縮了很多。做了一些記錄,指標調不出來的時候,就翻翻這些論文記錄,看看他們的架構。
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