10月30日,國博電子公告稱,公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片,在手機等終端中成功量產(chǎn)應(yīng)用,累計交付數(shù)量超100萬只。

圖片來源:國博電子公告截圖
#國博電子 表示,公司與國內(nèi)頭部終端廠商共同研發(fā)的硅基氮化鎵功放芯片,針對手機等終端應(yīng)用進行設(shè)計優(yōu)化,填補了業(yè)內(nèi)硅基氮化鎵功放終端射頻應(yīng)用的空白。新產(chǎn)品攻克了硅基氮化鎵外延的晶格缺陷比例高的材料難題,充分發(fā)揮了新型三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)優(yōu)勢,在兼顧功率、效率、帶寬等指標(biāo)的前提下,實現(xiàn)了對傳統(tǒng)砷化鎵功放的性能提升,并突破了硅基氮化鎵功放芯片的量產(chǎn)技術(shù),在業(yè)內(nèi)首次實現(xiàn)了硅基氮化鎵功放芯片在終端射頻領(lǐng)域的量產(chǎn)交付。
此外,新產(chǎn)品具備高功率、高效率、高寬帶特性,可為客戶進一步降低能耗,降低系統(tǒng)鏈路設(shè)計的復(fù)雜度,助力客戶進一步提升手機等終端的數(shù)據(jù)傳輸速率、降低工作能耗。
國博電子預(yù)計公司新產(chǎn)品將持續(xù)對現(xiàn)有砷化鎵終端功放產(chǎn)品形成替代,并有望在終端射頻功放領(lǐng)域全頻段、全場景推廣應(yīng)用,該產(chǎn)品系列有望為公司營收提供第二增長曲線。
資料顯示,國博電子成立于2000年,主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,產(chǎn)品覆蓋防務(wù)與民用領(lǐng)域。在防務(wù)領(lǐng)域,為陸、海、空、天等各型裝備配套關(guān)鍵產(chǎn)品;在民用領(lǐng)域,是基站射頻器件核心供應(yīng)商,產(chǎn)品性能達國際先進水平。
10月30日,國博電子公布最新財報,數(shù)據(jù)顯示,2025年三季度,國博電子實現(xiàn)營業(yè)收入15.69億元,當(dāng)期凈利潤為2.47億元,其中,T/R 組件和射頻模塊收入9.44億元,占比88.19%;射頻芯片收入9086.8萬元,占比8.49%。
射頻企業(yè)錨定氮化鎵,競逐新賽道
射頻企業(yè)布局氮化鎵(GaN)領(lǐng)域具有諸多優(yōu)勢。一方面,射頻企業(yè)本身具備射頻設(shè)計、電路優(yōu)化等全鏈條經(jīng)驗,能降低氮化鎵研發(fā)門檻,加速量產(chǎn)轉(zhuǎn)化;同時,氮化鎵的高頻、高功率等特性,可精準(zhǔn)匹配5G、毫米波通信等場景需求,與射頻企業(yè)技術(shù)升級方向高度契合。此外,從市場看,5G、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域催生大量氮化鎵器件需求,射頻企業(yè)布局可搶占新市場,構(gòu)建第二增長曲線。
除國博電子外,行業(yè)內(nèi)還有銳石創(chuàng)芯、銳捷創(chuàng)芯、慧智微、卓勝微、昂瑞微、唯捷創(chuàng)芯、紫光展銳等多家射頻企業(yè)在氮化鎵前端模塊、功率放大器等方向持續(xù)技術(shù)攻堅。
例如,#銳石創(chuàng)芯 聚焦氮化鎵射頻前端模塊開發(fā),采用低溫共燒陶瓷(LTCC)封裝技術(shù),將功率放大器模塊尺寸縮小50%,顯著提升散熱效率,其產(chǎn)品在專網(wǎng)通信、衛(wèi)星載荷等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定供貨,成為細分市場的重要參與者。
#中瓷電子 原是國內(nèi)領(lǐng)先的電子陶瓷供應(yīng)商,2023年通過資產(chǎn)重組,收購了河北博威集成電路有限公司和北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán),新增了氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等業(yè)務(wù),構(gòu)建了氮化鎵通信基站射頻芯片的完整產(chǎn)業(yè)鏈。


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