隨著AI大模型對算力需求持續增長，數據中心內部的數據傳輸正面臨帶寬、功耗和距離的多重挑戰。傳統電互連方案在高速場景下已接近物理極限，業界開始探索新型互連技術路徑。
近期，Micro LED因其低功耗、高并行密度和與CMOS工藝兼容等特性，逐漸進入短距光互連的研究視野。相比電互連，基于Micro LED的光互連方案具備以下優勢：
全鏈路功耗可低于 1 pJ/bit；
單芯片集成數百個發光單元，支持 Tbps級聚合帶寬；
光信號不受電磁干擾，適合高密度服務器環境；
與CMOS工藝兼容性高。
目前，海外已有企業如Avicena、Credo推進相關產品開發，部分頭部云廠商和芯片公司也在進行技術評估。
在此背景下，芯元基半導體正式啟動面向光通信應用的Micro LED專項研發。
作為國內較早布局GaN Micro LED的企業之一，芯元基在材料、器件和集成方面積累了一定基礎：
擁有自主研發的4–6英寸DPSS GaN外延平臺，位錯密度 <~×10? cm?2；
已實現 <10μm像素尺寸的藍光Micro LED陣列，發光波長集中在 420–450nm；
單通道調制速率實測超過 8 Gbps，支持獨立尋址；
當前正聚焦電流注入效率提升、像素隔離優化，并探索與CMOS驅動IC的集成方案。
“我們的目標是開發適用于光互連場景的‘通信級’GaN光發射芯片。”
—— 芯元基技術負責人
Micro LED光通信仍處于技術驗證階段。全球主要參與者預計在2027年后逐步推進產品落地，相關接口標準尚在制定中。
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