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采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝
的CoolSiC? 1400V MOSFET G2
CoolSiC? 1400V MOSFET G2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術與高爬電距離的堅固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過1000V的系統設計，既為現有應用提供額外的電壓裕量與增強的可靠性，又能實現更高的開關速度，從而提升系統效率。其引腳與現有封裝完全兼容，適用于光伏發電、電動汽車充電、儲能系統及其他工業應用領域。
產品型號：
■ IMZC140R011M2H
■ IMZC140R019M2H
■ IMZC140R024M2H
■ IMZC140R029M2H
■ IMZC140R038M2H
系統框圖
PV
ESS
EV Charging
產品特性
漏源極電壓VDSS=1400V（結溫Tvj≥25°C時）
導通電阻RDS(on)低至11mΩ（柵源極電壓 VGS=18V，結溫 Tvj=25°C時）
極低的開關損耗，有助于實現高效率
2μs短路耐受時間
更寬的柵源極工作電壓范圍：-10V至+25V
基準級柵極閾值電壓：4.2V
應用價值
更高的功率密度
提升的整體系統效率
增加的系統輸出功率
增強的冷卻優化效果
簡化的系統設計流程
競爭優勢
支持直流母線電壓超過1000V的系統設計
采用高爬電距離封裝，可靠性卓越
具備優異的瞬態過載抗擾度
對于上限為1000V的應用：提供充足的電壓裕量，支持大峰值電流下的更高開關頻率
其高功率密度有助于縮小整體系統尺寸
應用領域
電動汽車充電
儲能系統
組串式逆變器
不間斷電源
通用電機驅動
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