LED廠富采（3714）今天表示，為了加速Micro LED于擴增實境（AR）等更多高整合型顯示器應用領域的發展，公司拍板攜手德商ALLOS Semiconductors締結策略合作，共同推動8吋硅基氮化鎵LED磊芯片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量產， 也是替后續邁向12寸硅基氮化鎵LED磊晶技術鋪路。
富采表示，公司目前擁有全球領先的高階LED磊晶制造技術與產能，ALLOS則具備業界頂尖的硅基氮化鎵磊晶技術，此次合作象征Micro LED產業供應鏈邁向更加成熟的重要里程碑。 結合富采在LED結構上的深厚技術，以及ALLOS硅基氮化鎵緩沖結構技術，新品亮度與能效可媲美傳統藍寶石基板成長的氮化鎵LED（GaN-on-sapphire）。
此外，富采更看好雙方打造的Micro LED更有利于擴大至8寸以上，大幅提升單片產出面積與制程效率，其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求，并具備高度硅晶圓制程兼容性與量產可行性。 未來目標推展至12寸產品，以因應市場對更大尺寸晶圓的需求、加速Micro LED普及化。
富采光電元件事業本部總經理唐修穆說，這項合作將提供具高度競爭力的硅基氮化鎵Micro LED解決方案，并建立可擴展、與硅晶圓廠制程高度兼容的量產途徑。 公司藉由與ALLOS形成戰略聯盟，得以同步布局8寸 硅基氮化鎵Micro LED磊晶技術，為快速成長的Micro LED產業提供更完整的價值鏈與解決方案。
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