

回顧2025年,碳化硅與氮化鎵行業(yè)在諸多領(lǐng)域斬獲亮眼成果,同時(shí)歷經(jīng)產(chǎn)業(yè)格局的深度調(diào)整與迭代。展望2026年,行業(yè)正站在新的發(fā)展節(jié)點(diǎn),既迎來(lái)技術(shù)突破與場(chǎng)景擴(kuò)容的新機(jī)遇,也面臨產(chǎn)業(yè)優(yōu)化與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的新挑戰(zhàn)。
為解讀當(dāng)前產(chǎn)業(yè)態(tài)勢(shì),明晰未來(lái)發(fā)展路徑,行家說(shuō)三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2026》專題報(bào)道。本期嘉賓為能華半導(dǎo)體市場(chǎng)總監(jiān)劉寶生。后續(xù),我們將持續(xù)邀約更多行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)與權(quán)威人士參與《行家瞭望2026》專題,帶來(lái)深度洞見(jiàn)與前沿觀點(diǎn),敬請(qǐng)持續(xù)關(guān)注。

行家說(shuō)三代半:過(guò)去一年,貴公司第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)業(yè)務(wù)主要做了哪些關(guān)鍵性工作?
劉寶生:2025年,能華半導(dǎo)體主要完成以下關(guān)鍵性工作:
技術(shù)研發(fā)攻堅(jiān):重點(diǎn)推進(jìn)多襯底外延片的缺陷控制與均勻性優(yōu)化,完成車(chē)規(guī)級(jí)700V GaN HEMT器件的工藝開(kāi)發(fā)與可靠性驗(yàn)證;啟動(dòng)GaN功率器件的封裝技術(shù)迭代,提升模塊的散熱與抗浪涌能力。
產(chǎn)能與供應(yīng)鏈建設(shè):擴(kuò)建GaN外延產(chǎn)線,提升高端射頻與功率器件材料供應(yīng)能力;與國(guó)內(nèi)核心設(shè)備、耗材廠商建立深度合作,保障供應(yīng)鏈穩(wěn)定。
市場(chǎng)與生態(tài)拓展:與新能源車(chē)企、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心客戶開(kāi)展聯(lián)合開(kāi)發(fā),推進(jìn)GaN器件在車(chē)規(guī)級(jí)場(chǎng)景的認(rèn)證與導(dǎo)入;參與制定第三代半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),推動(dòng)國(guó)產(chǎn)技術(shù)規(guī)范化發(fā)展。
行家說(shuō)三代半:2025 年貴公司的第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)業(yè)務(wù)取得了哪些成績(jī)?
劉寶生:我們主要在技術(shù)及市場(chǎng)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了突破:
技術(shù)成果:成功推出車(chē)規(guī)級(jí)700V GaN功率器件樣品,通過(guò)AEC-Q101可靠性初步驗(yàn)證;多襯底外延片良率達(dá)到國(guó)際一流水平。
市場(chǎng)突破:功率型GaN器件進(jìn)入國(guó)內(nèi)頭部工業(yè)電源、快充廠商供應(yīng)鏈,實(shí)現(xiàn)批量交付;海外市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)小批量出口,覆蓋東南亞、歐洲客戶。


劉寶生:如果用一個(gè)關(guān)鍵詞總結(jié)2025年的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),我會(huì)選擇“突破”,其主要體現(xiàn)在三大層面:
? 技術(shù)層面:江蘇能華微在多襯底外延材料、車(chē)規(guī)級(jí)功率器件等核心環(huán)節(jié)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破,打破海外技術(shù)壟斷,多項(xiàng)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平;
? 市場(chǎng)層面:在新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,GaN器件“從實(shí)驗(yàn)室走向商業(yè)化應(yīng)用”,滲透率快速提升,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程顯著加快;
? 產(chǎn)業(yè)層面:國(guó)內(nèi)廠商在襯底、外延、器件、封裝全鏈條協(xié)同進(jìn)步,行業(yè)從“跟跑”向“并跑、局部領(lǐng)跑”轉(zhuǎn)變。
行家說(shuō)三代半:您認(rèn)為,從整個(gè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)角度,2025年有哪些可圈可點(diǎn)的進(jìn)步或者成績(jī)?
劉寶生:2025年第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步主要體現(xiàn)在三個(gè)維度:
? 技術(shù)迭代加速:多襯底外延良率大幅提升,GaN器件在高頻高壓場(chǎng)景的可靠性驗(yàn)證完成,為大規(guī)模量產(chǎn)奠定基礎(chǔ);
? 應(yīng)用場(chǎng)景拓寬:GaN不僅在新能源汽車(chē)主驅(qū)、OBC系統(tǒng)成為標(biāo)配,還在AI數(shù)據(jù)中心電源、儲(chǔ)能變流器、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量落地;
? 國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈成熟:國(guó)內(nèi)襯底、外延、設(shè)備、封裝等環(huán)節(jié)逐步自主可控,降低了對(duì)海外供應(yīng)鏈的依賴,為產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展提供保障。
行家說(shuō)三代半:當(dāng)前第三代半導(dǎo)體行業(yè)面臨的主要問(wèn)題是什么?未來(lái)有哪些技術(shù)路徑可能突破這些限制?
劉寶生:我認(rèn)為當(dāng)前行業(yè)存在的核心問(wèn)題主要有兩點(diǎn):
一是車(chē)規(guī)認(rèn)證壁壘高:車(chē)規(guī)級(jí)器件認(rèn)證周期長(zhǎng)、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)苛,國(guó)產(chǎn)廠商進(jìn)入供應(yīng)鏈難度大;
二是高端人才短缺:第三代半導(dǎo)體涉及材料、器件、封裝等多學(xué)科交叉,高端研發(fā)與工程人才缺口較大。
未來(lái)的突破路徑主要有以下幾點(diǎn):
技術(shù)降本:推進(jìn)大尺寸外延工藝優(yōu)化,通過(guò)AI輔助缺陷檢測(cè)、規(guī)?;a(chǎn)降低單位成本;開(kāi)發(fā)Si/GaN混合襯底技術(shù),兼顧性能與成本;
生態(tài)協(xié)同:聯(lián)合車(chē)企、檢測(cè)機(jī)構(gòu)提前開(kāi)展可靠性驗(yàn)證,縮短認(rèn)證周期;參與車(chē)規(guī)級(jí)器件標(biāo)準(zhǔn)制定,推動(dòng)國(guó)產(chǎn)技術(shù)納入行業(yè)規(guī)范;
人才培養(yǎng):與高校共建聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,開(kāi)展定向人才培養(yǎng);引進(jìn)海外高端人才,搭建核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)。
行家說(shuō)三代半:如果用1個(gè)關(guān)鍵詞展望未來(lái)5年的第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展,您會(huì)用哪個(gè)詞?請(qǐng)展開(kāi)談?wù)勀目捶ā?/span>
劉寶生:未來(lái)5年,第三代半導(dǎo)體行業(yè)的核心關(guān)鍵詞是“普及”,主要體現(xiàn)為以下幾方面:
成本驅(qū)動(dòng)普及:隨著大尺寸晶圓量產(chǎn)、工藝成熟,GaN器件成本將逐步下探至硅基器件的1.5倍以內(nèi),在新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能、工業(yè)等主流場(chǎng)景全面替代硅基IGBT;
場(chǎng)景驅(qū)動(dòng)普及:新能源汽車(chē)800V高壓平臺(tái)、AI數(shù)據(jù)中心高效電源、可再生能源并網(wǎng)等剛需場(chǎng)景持續(xù)擴(kuò)容,GaN將成為高效能源轉(zhuǎn)換的“標(biāo)準(zhǔn)配置”;
技術(shù)驅(qū)動(dòng)普及:技術(shù)進(jìn)一步成熟,推動(dòng)高頻、高壓、高溫場(chǎng)景的應(yīng)用落地,拓展至航天航空、軌道交通等極端環(huán)境。
行家說(shuō)三代半:2026年貴公司將重點(diǎn)發(fā)展哪些技術(shù)和市場(chǎng)?
劉寶生:在技術(shù)方面,我們將重點(diǎn)推進(jìn)以下工作:
推出車(chē)規(guī)級(jí)700V GaN HEMT量產(chǎn)器件,完成AEC-Q101全項(xiàng)認(rèn)證;
開(kāi)發(fā)1200V GaN HEMT器件與功率模塊,適配新能源汽車(chē)主驅(qū)、儲(chǔ)能變流器場(chǎng)景;
優(yōu)化多襯底外延工藝。
對(duì)于重點(diǎn)市場(chǎng)領(lǐng)域,我們將作以下部署:
核心市場(chǎng):新能源汽車(chē)(OBC、DC-DC、主驅(qū)逆變器)、工業(yè)電源、快充設(shè)備;
新興市場(chǎng):AI數(shù)據(jù)中心高效電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、5G/衛(wèi)星通信射頻前端;
潛力市場(chǎng):特高壓電網(wǎng)、軌道交通、航空航天等高端裝備領(lǐng)域。
行家說(shuō)三代半:請(qǐng)談?wù)?026年貴公司的發(fā)展目標(biāo)。
劉寶生:今年我們提出了兩大發(fā)展目標(biāo):
技術(shù)目標(biāo):車(chē)規(guī)級(jí)700V GaN器件實(shí)現(xiàn)批量出貨,1200V GaN HEMT完成樣品驗(yàn)證;
市場(chǎng)目標(biāo):第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收繼續(xù)增長(zhǎng),多市場(chǎng)持續(xù)滲透。

本文發(fā)自【行家說(shuō)三代半】,專注第三代半導(dǎo)體(碳化硅和氮化鎵)行業(yè)觀察。