會議時間:2026年4月16-17日
會議地址:江蘇?蘇州尹山湖希爾頓酒店(吳中區郭巷街道環湖路1688號)
主辦單位:Flink啟明產鏈、蘇州晶和半導體科技有限公司
協辦單位:國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)
會議主席:梁劍波,國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)首席科學家

面對未來產業高性能芯片熱管理的迫切需求,4月16-17日,江蘇蘇州,Flink啟明產鏈&晶和科技共同主辦2026(第二屆)未來半導體產業創新大會。本屆大會將以金剛石、碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等(超)寬禁帶半導體材料為核心,緊扣“材料-器件-工藝-裝備”與“異質集成-熱管理-封裝應用”兩大鏈條,特別設置【(超)寬禁帶半導體材料與器件創新論壇】、【金剛石/碳化硅熱管理與微通道散熱】2大平行論壇,聚焦寬禁帶半導體材料與器件、高導熱基底、異質集成、先進封裝、襯底精密加工、激光微納加工、微通道散熱等關鍵領域,探討下一代芯片材料與電子器件散熱趨勢。報告題目:《面向AIDC固態變壓器與HVDC供電系統的碳化硅功率器件測試及應用技術》毛賽君,忱芯科技(上海)有限公司總經理,國家級高層次人才,博士畢業于荷蘭代爾夫特理工大學,曾擔任復旦大學研究員,博士研究生導師,曾在GE全球研究中心工作10余年,獲“GE個人技術卓越成就獎"等10余項GE重大獎項,研究領域主要集中在碳化硅功率半導體器件精準特性表征與自動化測試設備,發表國際、國內論文80余篇,獲得100余項國際、國內發明專利與申請。報告摘要:
介紹AIDC中壓固態變壓器與800V HVDC供電架構挑戰與解決方案以及SiC MOSFET功率器件精準特性測試及高可靠應用技術,包括SiC MOSFET功率器件動態可靠性測試、雙極性退化可靠性測試、交流-濕度-溫度循環可靠性測試,SiC MOSFET功率模塊無功老化與有功對拖測試等創新測試技術與解決方案。
大會名稱:2026(第二屆)未來半導體產業創新大會
大會日期:4月16-17日
大會地址:江蘇?蘇州尹山湖希爾頓酒店(吳中區郭巷街道環湖路1688號)
主辦單位:Flink啟明產鏈、蘇州晶和半導體科技有限公司
協辦單位:國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)
承辦單位:寧波啟明產鏈信息科技有限公司