4月9日消息，三菲化合物半導(dǎo)體光芯片制造基地項(xiàng)目近日簽約落戶(hù)太倉(cāng)市城廂鎮(zhèn)，項(xiàng)目計(jì)劃總投資20億元。
其中一期項(xiàng)目總投資10億元，預(yù)計(jì)今年8月開(kāi)工建設(shè)、2028年投產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值超10億元。
上海三菲半導(dǎo)體有限公司長(zhǎng)期立足光芯片、電芯片與算法的自主核心技術(shù)，擁有穩(wěn)定出貨800萬(wàn)顆/月高端光芯片的經(jīng)驗(yàn)。
該項(xiàng)目將主要從事磷化銦（InP）激光器和光電探測(cè)器芯片、砷化鎵（GaAs）激光器芯片的研發(fā)與制造。
同時(shí)，打造外延生長(zhǎng)、光芯片制造、光電融合一體化產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G通信、數(shù)據(jù)中心、激光傳感等領(lǐng)域。
值得一提的是，光芯片是光通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達(dá)等系統(tǒng)的核心器件。在AI算力驅(qū)動(dòng)下，800G/1.6T光模塊必須使用磷化銦做激光器和探測(cè)器，傳統(tǒng)硅和砷化鎵無(wú)法滿(mǎn)足高頻段需求。
