2026年一季度，國內第三代半導體（碳化硅 SiC/氮化鎵GaN）產業呈現 “冰火兩重天” 格局。受益于5G基站建設與新能源汽車車載電源（OBC）需求爆發，GaN射頻企業業績高增；而SiC功率賽道受價格戰、產能爬坡折舊壓力影響，多數企業利潤承壓。
圖片來源：集邦化合物半導體制圖
GaN射頻領跑，設備與車規SiC兌現紅利
中瓷電子受益5G與衛星互聯網
#中瓷電子 以79.05%的營收增速領跑三代半企業，核心動力來自子公司博威的GaN射頻器件業務。作為國內GaN射頻領軍企業，博威產品批量供貨國內5G宏基站與衛星互聯網終端，疊加軍工電子訂單放量，驅動中瓷電子營收規模突破10億元大關。同時，公司SiC功率產品在頭部車廠OBC實現批量供貨，成為第二增長曲線。
揚杰科技車規突破，盈利韌性凸顯
#揚杰科技 Q1營收、凈利潤雙增，核心得益于SiC功率器件的車規級突破。公司首條SiC芯片產線已實現量產，覆蓋650V-1700V全電壓平臺，車規級功率模塊封裝項目順利投產，并獲得多家Tier1客戶訂單。在新能源汽車800V平臺滲透加速背景下，SiC模塊需求持續旺盛，疊加工業光伏領域剛需，推動公司SiC業務收入同比增長超50%，成為業績核心引擎。
中微公司GaN MOCVD市占領先，利潤彈性釋放
#中微公司 Q1凈利潤同比大增197.20%，雖包含出售拓荊科技股權的一次性收益（約3.97億元），但扣非凈利潤仍同比增長60.09%，主業增長扎實。公司GaN MOCVD設備在國內市占率領先，受益于GaN射頻、Mini LED、功率器件產能擴張，訂單持續飽滿；SiC/GaN功率用MOCVD設備已進入客戶驗證階段，有望在下半年實現批量出貨，打開長期成長空間。
SiC襯底與IDM產能爬坡，折舊與價格戰拖累利潤
SiC襯底：天岳先進由盈轉虧
#天岳先進 作為國內SiC襯底龍頭，Q1營收同比下滑10.41%，歸母凈利潤虧損6051萬元，同比由盈轉虧。核心原因是SiC襯底行業價格戰持續，6英寸襯底價格同比下降超30%，疊加8英寸產線產能爬坡，單位成本高企，毛利率持續為負。不過，公司6/8英寸襯底出貨量環比增長3.58%，隨著產能利用率提升與良率改善，后續盈利有望邊際修復。
三安光電轉型陣痛，傳統業務+新業務雙承壓
#三安光電 Q1營收、凈利潤雙雙大幅下滑，處于轉型陣痛期。一方面，傳統LED業務需求低迷，價格持續下跌，營收同比下滑超40%；另一方面，SiC襯底、射頻濾波器等新業務仍處于產能爬坡階段，湖南三安SiC產線折舊費用高企，且客戶認證周期長，尚未實現盈利，持續拖累整體利潤。不過，公司SiC器件已通過部分車規客戶驗證，射頻濾波器在通信基站領域實現小批量供貨，長期成長邏輯不變。
斯達半導折舊壓力激增，短期利潤承壓
#斯達半導 Q1營收同比下滑6%，歸母凈利潤同比暴跌74.32%，核心原因公司芯片制造全資子公司嘉興斯達微電子有限公司多個產品線順利投產但還處于產能爬坡期，本期折舊費用同比增加7543.39萬元，疊加固定資產折舊攤銷上升，階段性成本高企。同時，下游新能源汽車需求短期承壓，SiC模塊價格略有下滑，進一步擠壓利潤空間。不過，公司SiC模塊已批量供貨國內主流新能源車企，隨著產能利用率提升與成本下降，下半年業績有望回暖。
分化將持續，技術突破與成本控制成關鍵
2026年Q1國內三代半企業業績分化，本質是賽道景氣度、技術成熟度、產能釋放節奏的綜合體現。
短期來看，GaN射頻受益于5G基站建設與衛星互聯網發展，高景氣度將持續；SiC功率器件在新能源汽車800V平臺、工業光伏領域的滲透加速，車規級認證突破的企業將率先兌現紅利；SiC襯底行業價格戰仍將持續，具備規模效應與技術優勢的企業有望在洗牌中勝出。
長期來看，第三代半導體是國內半導體產業實現彎道超車的關鍵賽道，政策支持力度持續加大，下游應用場景不斷拓展。企業需聚焦技術突破（如SiC襯底良率提升、GaN器件可靠性優化）、成本控制（如產能利用率提升、規模化生產降本）、客戶認證（如車規級、工業級認證）三大核心，方能在激烈的市場競爭中占據一席之地。
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