當地時間5月5日，在SID學術論壇上，維信諾技術專家陳發祥受邀發表主題報告，宣布其率先推出高遷移率ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）全氧化物技術的量產解決方案。
維信諾采用ALD工藝實現全氧化物TFT單柵遷移率突破50cm2/V·s，并成功點亮6.39英寸全氧化物面板。經驗證，該技術在成膜精度、穩定性及一致性等方面已初步達成性能要求，為OLED背板提供了一條兼顧高性能、工藝效率與全尺寸擴展潛力的新路徑。
遷移率突破50cm2/V·s
ALD打開全氧化物高性能上限
在現有OLED背板技術體系中，LTPS憑借較高遷移率長期占據高性能主流路徑，但其高度依賴激光退火（ELA）工藝，制程復雜、成本較高；傳統氧化物方案在大面積一致性方面具備優勢，卻受限于遷移率水平，難以進入高規格應用場景。ALD工藝的引入，為業界難題提供了新解法。
ALD可以理解為一種“按層做膜”的工藝。相比傳統PVD（物理氣相沉積）一次性把材料“鋪上去”，ALD更像是一層一層把薄膜“長出來”，每一步都控制得更精細。正因為這樣，ALD做出來的薄膜厚度更精準、分布更均勻、質量也更穩定，從而為高性能氧化物TFT提供了更好的材料基礎。
對顯示背板而言，遷移率是衡量器件驅動能力的關鍵指標，直接影響像素響應速度、充電效率以及高分辨率場景下的驅動表現。維信諾采用ALD工藝實現全氧化物TFT單柵遷移率突破50cm2/V·s，雙柵遷移率突破80cm2/V·s，達到全球領先水平，也意味著全氧化物背板具備了進入小尺寸高端應用的驅動能力。下一步，維信諾將持續推動該技術的量產應用。
更重要的是，這項全氧化物技術無需復雜的激光退火（ELA）工藝，即可實現高性能驅動，從源頭上簡化了制造流程、提升了生產效率。
更快、更窄、更省電
性能提升改善顯示體驗
遷移率提升帶來的變化，也將轉化為更直接的顯示體驗。首先是更高刷新率。在實際使用中，屏幕每一幀畫面都需要在極短時間內完成像素刷新。器件驅動能力越強，像素響應越快，就越容易支撐高刷新率下的流暢顯示。
其次是更窄邊框和更高屏占比。更強的驅動能力意味著，在實現同等顯示效果的前提下，像素電路可以進一步縮小，占用更少空間，從而為更緊湊的結構設計提供可能。這不僅有助于優化整機外觀，也為更高像素密度顯示提供了支撐。
此外，該技術還可實現低刷新率下的穩定顯示。在待機、靜態畫面等低刷新率場景下，屏幕需要在更長時間內保持畫面穩定。器件性能提升后，像素狀態更容易維持，有助于減少閃爍與亮度波動，從而在降低功耗的同時保持穩定顯示表現。
率先點亮小尺寸面板
拓寬全氧化物應用邊界
在性能提升基礎上，本次成果進一步完成了小尺寸全氧化物面板點亮。此前，受遷移率限制，全氧化物背板主要應用于中尺寸顯示場景。此次小尺寸面板成功點亮，意味著該技術路徑已具備向更高規格應用領域延展的能力，也標志著氧化物背板的應用邊界正在被重新打開。
經驗證，該ALD方案在關鍵工藝指標上已達到量產規格要求，膜厚片間波動小于2%，膜厚均一性小于4%，表明該工藝在批量制備過程中具備良好的穩定性與重復性，能夠滿足面板生產對一致性的要求。目前，該技術已在4.5代線完成驗證，并具備向更高世代線擴展的能力。
“想創新、敢創新、能創新”，依托近三十年的技術積累和產業化經驗，維信諾致力于攻克制約產業發展的難題。ALD高遷移率全氧化物技術無需依賴多材料復雜組合，在單一氧化物體系內提升性能上限，兼具高性能、工藝效率與全尺寸擴展潛力，有望成為OLED未來發展的重要技術路徑，并在新一輪顯示技術競爭中發揮更大作用。
往期回顧
Review of previous periods
