突破半導體設備壁壘，歐諾半導體完成新一輪融資

近日，杭州歐諾半導體設備有限公司完成新一輪融資，由浙商創投領投，大璞資本擔任本輪獨家財務顧問。本輪資金將主要用于產品研發、產能提升與市場拓展，進一步夯實其在半導體爐管設備領域的領先位置。

在芯片制造這條長產業鏈里，設備是“卡脖子” 環節之一。而爐管設備，更是晶圓制造中覆蓋工藝廣、技術壁壘高、長期被海外壟斷的關鍵裝備。歐諾半導體之所以能快速獲得資本認可，正是因為它在這個細分賽道做出了真正的國產化突破。

一、聚焦半導體核心裝備：爐管設備是先進制程關鍵瓶頸

半導體設備是芯片產業鏈自主可控的核心環節，而爐管設備更是貫穿晶圓制造前道、中道、后道全流程的關鍵裝備，承擔氧化、擴散、退火、薄膜沉積等核心工藝。在成熟制程中，爐管相關工藝約占20–30 道層；在 14nm 以下先進制程中，爐管工藝占比進一步提升至30 層以上，是決定芯片良率與性能的關鍵設備。

當前全球爐管設備市場高度集中，TEL、KE 等海外廠商占據近 90% 市場份額，國內雖在常壓爐（AP 爐）領域實現較高國產化率，但在技術壁壘更高并且價值量更大的低壓爐（LPCVD）、原子層沉積爐（ALD）領域，國產化率仍不足 5%，是先進制程與先進封裝最迫切需要突破的卡脖子環節之一。

歐諾半導體成立于 2023 年 7 月，依托成熟穩定的常壓爐技術打底，同時以高壁壘低壓爐（LPCVD）構建差異化核心優勢，產品全面覆蓋 8 英寸與 12 英寸晶圓制程，服務邏輯芯片、存儲芯片、功率器件、化合物半導體、MEMS 及先進封裝等高增長賽道。

二、兩大核心技術攻堅行業痛點，歐諾實現全溫域、超凈制程突破

針對爐管設備行業普遍存在的設備維護清潔難、顆粒度控制差、腔體設計缺陷、原位摻雜不均、溫度均勻性不足五大痛點，以及先進制程低熱預算、高臺階覆蓋率、高深寬比填孔等制程難題，歐諾半導體聚焦兩大核心技術，實現全方位突破。

歐諾以Metal-free 無金屬腔體為核心，構建 N? Loadlock、±0.1℃控溫系統、高精度氣體輸送、穩定晶圓傳送等完整模塊解決方案，實現：

? 金屬污染控制≤1E10 atoms/cm2，清洗終點精準控制＜15nm；

? 微環境防擾流+ 超凈真空機械手，顆粒缺陷控制在 10ea 以下；

? 腔體氣體優化+ 生長蝕刻交替，臺階覆蓋率＞90%，空洞形成率改善＞90%；

? 設備可100% 覆蓋成熟與先進工藝，LPCVD全工藝搭載，defect 控制大幅優于行業水平。

該技術已完成12 英寸 LPCVD多款膜種、8 英寸 LPCVD 多款膜種客戶端工藝驗證及量產驗證，為多家實驗室完成打樣工藝，性能直接對標日本 TEL /KE最先進 LPCVD 設備，工藝驗證周期較行業縮短 50%。

精準低溫控制技術：填補行業空白，適配先進封裝剛需

隨著先進封裝對低溫工藝要求下探至200℃以下，傳統爐管設備無法滿足高精度溫控需求。歐諾通過加熱器特殊設計 + 熱場大模型推演，實現全溫域精準控制：

? 超低溫段（150-250℃）：控溫精度 ±0.2℃，室溫至 200℃升降溫穩定性 ±0.1℃/ 分鐘；

? 中高溫段（500-1100℃）：8/12 英寸全系列達標，控溫精度 ±0.1℃，優于國內競品；

? 熱場均勻性＜±0.5℃，各溫區協同差＜±2℃，關鍵指標全面超越行業水平。

該技術完美適配HBM 鍵合退火、低溫柵氧等先進工藝，填補國內低溫段爐管溫控技術空白。

三、前瞻布局更高端賽道：ALD 爐管蓄勢待發，瞄準下一代技術制高點

在穩固常壓爐、突破低壓爐的基礎上，歐諾半導體已將ALD 爐管確立為下一階段核心戰略方向。ALD 爐管依托原子層級沉積精度，在薄膜均勻性、臺階覆蓋率、低熱預算適配性上全面超越 LPCVD，是14nm 以下先進制程、3D NAND、先進封裝的剛需裝備，技術壁壘與產品價值更高，當前全球市場仍由日本 TEL、KE 等企業高度壟斷，國產供給近乎空白。

憑借已成熟的腔體超凈、低溫控制、氣體精準輸送等核心模塊，歐諾半導體已完成 ALD 爐管關鍵技術方案儲備，現有技術積累可覆蓋 ALD 設備 90% 以上開發需求，未來 ALD 爐管落地后，將進一步鞏固公司在高端爐管領域的領先地位，打開更廣闊的成長空間。

四、商業化落地領先：客戶驗證扎實，訂單與產品快速推進

歐諾半導體核心團隊來自中芯國際、TEL、Intel等全球龍頭企業，平均從業經驗 12 年以上，在設備研發、工藝調試、量產交付方面具備深厚產業積累。

歐諾成立以來始終堅持 “技術可驗證、產品可交付、客戶可規模化” 的商業化路徑，目前已形成 8 英寸 + 12 英寸、成熟制程 + 先進制程、硅基 + 化合物 + 先進封裝的全場景產品布局歐諾已成功進入多家國內一線芯片制造企業及科研機構供應鏈，8 英寸 LPCVD、12 英寸 LPCVD 設備均已實現出貨并且在客戶端量產，作為國內少數在8英寸/12 英寸 LPCVD 領域實現工藝對標、可替代海外設備的廠商，其驗證周期顯著快于行業平均水平，商業化進度與客戶認可度均位居國內同行業前列，已成為國內高端爐管設備國產化推進最快的本土企業之一。

五、市場紅利釋放：國產爐管設備將迎黃金發展期

受益于政策激勵與國產芯片發展戰略的雙重驅動，國內成熟制程的產能持續擴產，導致對爐管設備具有極大的需求。國內成熟制程產能占比也越來越高，2023年中國（含中國臺灣）成熟制程占全球成熟制程的76%，預計到2027年中國（含中國臺灣）成熟制程占比約為83%。國內爐管市場的市場規模也隨著成熟制程的需求不斷的增長。

六、支持硬科技，助力半導體裝備自主可控

浙商創投表示：半導體設備是芯片產業鏈自主可控的重中之重，爐管設備在先進制程與先進封裝中的價值持續提升。歐諾半導體團隊產業經驗深厚、技術壁壘扎實、產品落地速度領先，是高端爐管領域極具長期競爭力的國產優質企業，未來發展空間廣闊。

大璞資本表示：先進制程與先進封裝雙輪驅動下，LPCVD 與 ALD 爐管設備正迎來高速增長期，賽道壁壘高、市場空間大、確定性強。歐諾半導體聚焦高壁壘細分賽道，以核心技術為根基、以客戶需求為導向，商業化路徑清晰、驗證效率領先，是國產替代的標桿型企業。