三星成功開發出900層NAND原型

5月25日消息，據韓國媒體ETnews報道，存儲芯片巨頭三星電子近日成功開發出全球首個900層級V-NAND原型技術，向著“1000層NAND”的終極目標邁出了實質性的一步。在與競爭對手的激烈角逐中，這將成為三星一項極具分量的技術籌碼。

此次突破的核心，是一種名為“單元多鍵合（CMB）”的技術。簡單來說，三星將兩片各450層的晶圓像“三明治”一樣精準連接，合二為一，打造出900層級的集成系統。堆疊更多NAND層，意味著能在更小的芯片空間內塞進更大的存儲容量，同時還能降低功耗。對于AI計算這類極度渴求數據吞吐量的工作負載，這種高密度堆疊結構的優勢正日益凸顯。

NAND Flash是AI服務器、智能手機、數據中心固態硬盤（SSD）的核心存儲部件。層數越高，容量越大，有限芯片面積內的性能就越高。在AI服務器與端側AI設備市場，高容量、高效率的存儲元件已被視為決勝關鍵。

目前，SK海力士在量產市場以321層4D NAND保持領先，并創下了業內最高良率。而三星今年正準備量產第十代V-NAND（V10，超過400層），如今又在研發階段迅速突破900層，已在下一代NAND的競賽中搶占了一個有利身位。三星強調，這項研究“驗證了電池正常工作特性”，意味著它已超越理論推演，達到了可實際操作的階段。

自2013年全球率先將3D V-NAND商業化以來，三星一直在挑戰堆疊工藝的極限。過去慣用的“單層堆疊”方法，是直接在晶圓上鉆孔并一層層摞上去。但隨著層數越高，晶圓就像疊得太高的薄餅，容易變形或錯位，這構成了最棘手的物理障礙。

在向900層進發的過程中，三星祭出了兩項關鍵法寶：一是引入先進的上卡盤設計，解決了最令人頭疼的晶圓翹曲問題；二是通過自有的“套刻校正”技術，消除了連接過程中出現的微小錯位。此外，全新設計的位線（BL）與字線（WL）結構，也在同時降低功耗、縮小芯片尺寸方面帶來了顯著成果。

在全球市場上，中國存儲企業正迅速追趕，300層NAND堆棧已逐步邁過量產門檻，產能擴張與技術迭代也在同步提速。未來隨著NAND市場的價格競爭的加劇，勢必給韓國廠商帶來壓力。從這個角度看，三星押注900層技術，可視為一種構筑“中長期技術護城河”的戰略回應。

有業內人士評價稱：“900層NAND不僅是300層技術的三倍延伸，更代表著一種工藝范式的革新。這向全球客戶傳遞了一個清晰信號：三星依然是技術領跑者，將有效制衡中國企業的產量擴張與價格攻勢。”

編輯：芯智訊-浪客劍