5月27日，全球電子設計與制造服務領導廠商環旭電子（USI）宣布，其在新一代功率解決方案領域研發的先進功率半導體封裝技術取得重大突破。環旭電子成功將碳化硅（SiC）晶粒預埋于多層ABF基板之中，并創新采用單面銅裸露（SSC）模塊封裝技術，使得業界標準功率封裝體得以整合陶瓷絕緣基板與無線鍵合工藝。環旭電子將于2026年6月9日至11日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2026，并展示其最新芯片預埋封裝技術、先進功率模塊及系統整合解決方案。
核心技術突破：封裝本體集成電氣絕緣
此項創新設計為內絕緣功率分立器件帶來重大技術突破。據環旭電子官方公告，該創新設計使得封裝本體即具備電氣絕緣能力，并同時展現低雜散電感與極低的導通阻抗的優勢。
環旭電子功率模塊 – SiC芯片預埋基板
在技術原理層面，環旭電子憑借卓越的基板與模塊整合能力，成功將SiC晶粒預埋于多層ABF基板中。單面銅裸露（SSC）模塊封裝技術的采用，使得業界標準功率封裝體能夠同時集成陶瓷絕緣基板與無線鍵合工藝。Power Semiconductors Weekly在報道中指出，無線鍵合架構的采用改善了電流處理能力和熱耗散，同時能夠在更薄的封裝尺寸內容納更大的芯片集成。
性能優勢：降低導通損耗，強化長期可靠性
環旭電子在官方新聞稿中指出，相較于傳統封裝方案，其芯片預埋封裝技術能顯著降低導通損耗、減少熱能累積，并強化長期運作的可靠性。
透過內部整合陶瓷基板，封裝體即可提供穩定的電氣絕緣效果，無需依賴外部絕緣材料；同時，創新的無線鍵合工藝使得薄型封裝能容納更大芯片，進一步提升功率密度，并推動高集成系統設計的實現。環旭電子表示，低雜散電感、低導通阻抗與優異散熱性能形成協同優勢，大幅提升能源轉換效率與產品可靠性。
應用方向：電動汽車、AI數據中心與人形機器人
環旭電子將這一封裝技術的應用方向定位于多個高增長市場。Power Semiconductors Weekly報道稱，該技術定位于AI數據中心、電動汽車和人形機器人等高功率密度應用場景。與傳統線鍵合模塊設計相比，該方案可降低導通損耗，減少熱量產生，并增強長期可靠性，而這些要求對于高功率密度應用至關重要。
環旭電子新產品導入中心資深處長陳治宇表示：“功率技術平臺正持續向高效率、高功率密度方向發展，先進封裝技術對提升整體系統性能的作用愈發關鍵。我們在通用功率封裝中融合SiC/GaN芯片預埋基板、陶瓷絕緣基板及無線鍵合工藝，打造出新一代輕薄、高效、高可靠的功率封裝方案，并積極拓展至電動汽車、AI數據中心、人形機器人等多個應用領域。”
在汽車動力系統領域，環旭電子同時提供從設計至量產的一站式服務，涵蓋高密度400V/800V逆變器系統、智能電池斷電單元（iBDU），以及整合車載充電機與DCDC轉換器的Xin1系統方案。
封裝廠商切入寬禁帶功率模塊整合
從產業定位來看，環旭電子正在從傳統電子制造服務（EMS）向更高價值的功率模塊集成和先進封裝服務延伸。Power Semiconductors Weekly指出，USI正在超越傳統的EMS制造，擴展至更高價值的功率模塊集成和先進封裝服務。
這一轉型與當前寬禁帶半導體產業鏈的分工趨勢相呼應。隨著SiC功率器件在電動汽車、AI數據中心和工業電源等場景中的滲透率持續提升，封裝環節的技術壁壘正在成為影響系統性能和成本的關鍵因素之一。環旭電子此次推出的SiC芯片預埋封裝方案，在封裝結構層面集成了電氣絕緣功能和無線鍵合架構，降低了系統廠商對外部絕緣材料和線鍵合工藝的依賴，有助于縮短系統集成周期并提升功率密度。該項技術能否獲得下游頭部客戶的規模導入，將在PCIM Europe 2026展示后的接下來幾個季度中獲得初步驗證。
信息來源：環旭電子官網
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