近日，日本三菱電機（Mitsubishi Electric）宣布，將于2026年6月底開始陸續提供兩款第五代碳化硅（SiC）MOSFET裸芯片樣品。新產品主要面向新能源汽車驅動系統應用，可用于驅動電機逆變器以及集成電機、逆變器和減速器功能的eAxle電驅橋系統，助力提升新能源汽車的性能與能效水平。
隨著新能源汽車市場持續擴大，驅動系統對功率半導體器件提出了更高要求。相比傳統硅基器件，碳化硅器件憑借更高的擊穿電場、更低的開關損耗以及更高的工作溫度，已成為電動汽車主驅逆變器的重要發展方向。其中，SiC MOSFET作為核心功率器件，其性能直接影響整車效率、續航能力以及系統體積。
此次推出的第五代SiC MOSFET采用了三菱電機自主研發的溝槽柵（Trench）結構技術。在保持相同耐壓等級和閾值電壓條件下，新產品的導通電阻（Ron）較第四代溝槽型SiC MOSFET降低約25%，達到行業領先水平。導通電阻的降低意味著器件在工作過程中產生的導通損耗進一步減少，有助于提升逆變器效率，降低系統發熱量，并為整車續航里程提升創造條件。
除了降低導通損耗之外，新產品還能夠推動新能源汽車電驅系統的小型化和輕量化。隨著功率密度不斷提升，逆變器和eAxle系統可在更緊湊的空間內實現更高性能輸出，這對于提升整車設計自由度和優化空間布局具有重要意義。
值得關注的是，三菱電機在新一代產品中還引入了自主制造工藝技術，通過優化器件制造流程，有效抑制長期運行過程中性能衰減以及功率損耗、導通電阻等關鍵參數的波動。該技術有助于保障器件在長期高負荷工況下保持穩定性能，從而提升新能源汽車驅動系統的可靠性和耐久性。
目前，新能源汽車行業正加速向高效率、高功率密度方向發展，碳化硅器件滲透率持續提升。根據市場研究機構預測，未來幾年SiC MOSFET將在800V高壓平臺車型、高性能電驅系統以及快充基礎設施等領域迎來更廣泛應用。作為全球功率半導體重要廠商之一，三菱電機持續推進SiC技術迭代，此次第五代溝槽型SiC MOSFET的推出，也反映出國際廠商在提升器件性能、降低系統損耗和增強產品可靠性方面的競爭正在進一步加劇。
據了解，該產品已于今年5月在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2026電力電子展上公開亮相，并同步在日本、中國等多個國家和地區的行業展會上展示。隨著樣品開始出貨，未來有望加速導入下一代新能源汽車電驅系統，為高效電動化發展提供新的功率器件支撐。
