2026年5月28日，第38屆國際功率半導體器件和集成電路年會（ISPSD，IEEE The 38th International Symposium on Power SemiconductorDevices and ICs）在美國拉斯維加斯市順利閉幕。作為IEEE旗下的功率半導體旗艦會議，ISPSD涵蓋了功率半導體器件、功率集成電路、功率集成、工藝、封裝和應用等功率半導體領域的所有方面，是功率器件領域最具影響力和規模最大的頂級國際學術會議，也是功率半導體器件和功率集成電路領域技術討論的頂會，被譽為該領域的“奧林匹克”盛會。
本屆大會共收到330篇投稿，錄用165篇論文，其中口頭報告（Oral）58篇，海報報告（Poster）107篇，集中展示全球功率半導體技術的最新研究成果和發展動態。
按照論文提交的方向來看，碳化硅（SiC）/氧化鎵（Ga2O3）方向和氮化鎵（GaN）方向是投稿數最高的兩個方向，合計230篇，占總投稿數70%；共計入選論文115篇，占總入選數的70%。
錄用的165篇來自9個國家，較去年減少3個國家；按國家入選數量統計排名（按第一作者所在國家統計），中國是入選論文數量最多的國家，共錄用112篇（中國內地94篇，中國香港8篇，中國臺灣10篇），日本錄用26篇，美國錄用11篇，德國錄用6篇，英國錄用4篇，比利時、韓國各錄用2篇，法國、意大利各錄用1篇。
錄用的165篇論文來自63個機構有論文入選，較去年減少11家機構；按第一作者所在機構統計，學術界方面，前五位都是中國內地高校，電子科技大學以23篇高居榜首；中國科學技術大學以15篇排第二；東南大學、西交利物浦和浙江大學以6篇并列第三。工業界方面，三菱Mitsubishi以9篇排名第一，東芝Toshiba以6篇排名第二，安森美onsemi以4篇排名第三，安世Nexperia、羅姆ROHM、英飛凌Infineon以2篇并列第四。
從2026年和2025年中國內地論文分布對比表格中可以看出，中國內地在氧化鎵（GaO）方向保持絕對優勢，包攬5篇口頭報告；在11篇海報論文中摘得10篇，另外一篇是臺灣清華大學。同時功率集成設計（ICD）實現大爆發，在高壓器件（HV）方向也取得了相當的進步。
今年中國內地共有25個機構有論文入選。
電子科技大學集成電路學院張波教授帶領的功率集成技術實驗室（PITeL）共錄用21篇一作論文（牽頭發表10篇Oral報告和11篇Poster論文），占全球發文總量的13.3%，Oral報告占17.2%。發文總數與Oral報告總數均位居全球首位。這是自2013年以來，功率集成技術實驗室第10次斬獲ISPSD論文錄取數全球第一。氮化鎵（GaN）方向3篇，高壓器件（HV）方向4篇，功率集成設計（ICD）方向3篇，低壓器件（LVT）方向6篇，碳化硅（SiC）方向5篇，連續續蟬聯全球機構一作論文錄用數量第一名！另外1篇碳化硅（SiC）和1篇氧化鎵（Ga2O3）方向論文來自新器件研究室。
中國科學技術大學共錄用15篇文章，排名全球機構一作論文錄用數量第二名！微電子學院龍世兵教授團隊入選10篇論文，其中氧化鎵（Ga2O3）方向共入選7篇，包攬全部5篇口頭報告；另外在氮化鎵（GaN）方向入選3篇。
西安交通大學在1990年有論文入選，是中國內地首個入選論文的機構，時隔36年后，西安交通大學再次亮相ISPSD。
西南交通大學第一次有論文入選，2篇論文都是碳化硅（SiC）方向。
清華大學集成電路學院也是首次有論文入選，1篇碳化硅（SiC）方向，1篇ICD方向。
