近日，#芯聯集成 宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工藝平臺，正式推出3300V SiC MOSFET器件。該產品面向固態變壓器（SST）等高壓、高功率密度、高可靠性應用場景進行定制設計，目前已向核心客戶送樣驗證。
該產品基于8英寸產線自研高壓平面柵SiC MOSFET技術，以更小的單元面積和更優的導通電阻-柵電荷優值（RDS(on)×QG），實現了導通與開關性能的平衡優化。
以10kV中壓固態變壓器前端為例，相較于1200V方案，采用3300V器件后，母線電壓可提升至1800~2200V，級聯數量減少約60%；功率單元及MOSFET總量同步減少60%，外圍器件減少約70%，PCB設計大幅簡化；同時控制與裝配成本有所下降，綜合系統級BOM成本降低約20%至35%，為固態變壓器向更高開關頻率、更小體積和更高轉換效率演進提供了核心器件支撐。
為進一步補強固態變壓器供應鏈，芯聯集成也將推出適配該3300V SiC MOSFET的高頻高耐壓高功率密度磁性器件。
芯聯集成已完成650V至3300V全電壓段SiC MOSFET產品布局，新一代SiC G2.0工藝平臺在能效與可靠性上實現進一步突破，8英寸SiC產線已實現大規模量產。
芯聯集成指出，隨著生成式AI算力需求增長，單AI機柜功率密度正向兆瓦級別邁進，英偉達年初宣布推動AI數據中心供電架構向800V HVDC演進，固態變壓器成為AI數據中心領域的關鍵環節；在智能電網與新能源領域，固態變壓器同樣具有重要應用。隨著固態變壓器市場逐步起量，高壓SiC器件的量產需求將更加明確。芯聯集成正以3300V SiC MOSFET為支點，撬動固態變壓器這一藍海市場。
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