芯聯集成推出3300V SiC MOSFET 為固態變壓器"減負降本"

芯聯集成（688469.SH）日前宣布，依托自研8英寸碳化硅（SiC）工藝平臺，公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。該產品面向固態變壓器（SST）等高壓、高功率密度、高可靠性應用場景深度定制，目前已向核心客戶送樣驗證。

此次3300V SiC器件的發布，是芯聯集成長期研發投入與系統代工能力在AI基礎設施電源這一高成長賽道的集中體現，也標志著公司在高壓寬禁帶半導體領域實現又一關鍵突破，填補了國內高壓SiC器件在固態變壓器核心功率級應用中的關鍵空白。

該產品基于8英寸產線自研高壓平面柵SiC MOSFET技術，以更小的單元面積和更優的導通電阻-柵電荷優值（RDS(on)×QG），實現了卓越的導通與開關性能。

以10kV中壓固態變壓器前端為例，相比1200V方案，3300V器件優勢：

① 母線電壓升至1800~2200V，級聯數減60%；

② 功率單元及MOSFET總量減60%，外圍器件減70%，PCB大幅簡化；

③ 控制與裝配成本降低。綜合BOM成本降20%~35%，支撐SST高頻、小型化、高效演進。

綜合來看，3300V 方案可實現系統級BOM成本降低20%~35%，為固態變壓器向更高開關頻率、更小體積和更高轉換效率演進提供核心器件支撐。 

為進一步補強固態變壓器供應鏈，公司也將推出適配3300V SiC MOSFET的高頻高耐壓高功率密度磁性器件。

作為國內碳化硅器件出貨量領先的廠商，芯聯集成在高壓功率半導體領域擁有深厚的技術積淀，已完成650V至3300V全電壓段SiC MOSFET產品布局，新一代SiC G2.0工藝平臺在能效與可靠性上實現進一步突破，8英寸SiC產線已實現大規模化量產。

根據Yole 3月份發布的2025年碳化硅業務排名，芯聯集成是中國SiC器件廠商中位居第一的企業，并躋身全球前五。

隨著生成式AI算力需求呈指數級增長，單AI機柜功率密度正向兆瓦級別邁進。英偉達年初宣布推動AI數據中心供電架構向800V HVDC演進，固態變壓器成為AI數據中心領域的關鍵環節；在智能電網與新能源領域，固態變壓器同樣發揮著核心作用。

隨著固態變壓器市場的逐步起量，高壓SiC器件將迎來更明確的量產需求；從核心器件到系統代工，從AI數據中心到智能電網，公司正以3300V SiC MOSFET為支點，撬動固態變壓器這一藍海市場。這也標志著國產高壓SiC器件正從“追趕者”向“定義者”加速轉變，為新型電力系統的綠色、高效、智能轉型注入了強勁的“中國芯”。