6月25日，#ROHM 宣布，開發出650V耐壓第4代IGBT，新產品非常適用于車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支持車載應用的650V級產品，實現了業界超低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時具備出色的短路耐受能力*2，符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101。
該產品通過改善工藝以及包括外圍結構在內的器件結構，提高了電流密度，同時降低了導通損耗和開關損耗。而且，與低損耗特性之間存在權衡關系的高短路耐受能力在Tj=25℃時也可達到7微秒（μs）。因此，新產品非常有助于應用產品進一步提高效率和可靠性。
產品陣容包括采用TO-247N封裝的“RGAxxTS65HR/RGAxxTS65EHR”12個型號和裸芯片形式的“SG83xxWN”10個型號。另外，ROHM也正在開發TO-247-4L封裝的“RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR”12個型號的產品。
本系列產品已于2026年5月起以月產100萬個的規模投入量產。TO-247N封裝產品也支持網售。
ROHM計劃今后進一步擴展同一封裝形式的型號陣容，并開發采用TO-263L封裝和頂部散熱（TSC：Top-Side Cooling）封裝的小型且可表面貼裝的IGBT產品。致力于通過擴充高性能的IGBT產品陣容，助力汽車和工業設備應用實現高效驅動及小型化。
ROHM表示，隨著電動汽車向更高電壓方向發展，在主驅逆變器等大功率應用中，高效SiC器件加速普及；而在車載電動壓縮機、HV加熱器等功率容量較小的輔助設備中，則廣泛采用650V耐壓的IGBT作為開關器件。另外，在工業設備領域，以電機和壓縮機等為主的應用中也廣泛采用硅基IGBT，預計未來相應的需求將持續增長。
這類應用需要更節能和更小的外殼尺寸，同時對功率器件也有提高可靠性、更小型、更高效的強烈需求。特別是對于變頻器和加熱器電路而言，在短路時從檢測到過電流到切斷電流的時間內的短路耐受能力至關重要。在這種背景下，ROHM通過器件結構等的改進，開發出既支持高電壓，又同時實現了低損耗特性和出色短路耐受能力的第4代IGBT。
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