首屆CMP與先進封裝材料論壇將于2026年7月29–30日在蘇州召開
來自長電科技、博來納潤、新安納、中國工程物理研究院、SEMI 、江南大學、蘇州大學、包頭稀土研究院、迅得科技、無錫云嶺等單位的專家將作精彩報告
2026年6 月28日，英國《金融時報》等海外媒體報道，蘋果正在向美國商務部及其他政府部門游說，希望獲準從中國長鑫存儲（CXMT）采購 DRAM 內存芯片，以緩解內存價格飆升和未來供應緊張的壓力。
過去兩年里，存儲芯片從“最典型的周期股”，變成了 AI 牛市中最耀眼的衛(wèi)星板塊之一。DRAM、NAND、HBM、企業(yè)級 SSD 一路輪番上漲，三星、SK 海力士、美光、老牌玩家股價翻了又翻，SanDisk 更是在分拆后演出了一輪極端行情。
半個世紀前，DRAM 的概念誕生于 IBM 實驗室；幾十年里，美、日、韓輪流主宰存儲格局；而今天，連一向“供應鏈掌控力”最強的蘋果，都開始嘗試把中國廠商納入自己的內存供應候選。亞化咨詢回顧存儲芯片產業(yè)背后的關于技術、資本與地緣政治交織的發(fā)展史。
一、起點：IBM 發(fā)明，Intel 量產（1960s–1970s）
1967 年，IBM 為這一結構申請專利，1968 年專利獲批，Dennard 因此被公認為“DRAM 之父”。
但真正把 DRAM 做成商用產品、推向市場的，是英特爾：1970 年，英特爾推出 1103，這是全球第一款成功商業(yè)化并大規(guī)模量產的 DRAM 芯片，很快取代磁芯存儲，成為當時計算機內存的主流方案。
當時東芝內部確實一度對這一技術的商業(yè)價值判斷不足，管理層沒有給予足夠資源與重視，另一方面，在 80 年代東芝也與英特爾、AMD 等美企圍繞存儲專利與標準有多次博弈，但“NAND 是英特爾發(fā)明”的說法并不符合公開的技術史記載。
二、美日易位，韓國逆襲：DRAM 的三國演義（1980s–2010s）
到 80 年代中后期，美國原有 DRAM 廠商大多難以承受價格戰(zhàn)和持續(xù)投資壓力相繼退出，英特爾在這輪競爭后徹底放棄 DRAM，轉向處理器與邏輯芯片，美光成為美國 DRAM 陣營的“獨苗”。
但進入 90 年代之后，日本的優(yōu)勢開始被周期與技術迭代侵蝕：多家日企退出 DRAM 業(yè)務，部分資產合并為爾必達（Elpida），試圖通過“抱團”維持競爭力。
在 2008 年金融危機和價格下行周期的雙重沖擊下，爾必達最終于 2012 年破產，被美光收購，日本在主流 DRAM 市場徹底失去話語權。
現代與 LG 的存儲業(yè)務在多輪重組后合流為海力士，之后再被 SK 集團收購，成為今天的 SK 海力士，與三星構成韓國“雙雄”。
這一時期，歐洲的奇夢達、臺灣一眾 DRAM 廠商也相繼在周期中被淘汰或邊緣化，最終 DRAM 市場形成：
三星：全球第一；
SK 海力士：全球第二；
美光：全球第三；三家合計約占 90% 以上市場份額。
韓國模式值得特別強調的一點是：他們選擇在周期最差的時候繼續(xù)砸錢擴產、壓成本，用“扛周期”換來寡頭格局。這是一條極其危險但被他們走通了的路。
三、NAND 的資本重組：從東芝到鎧俠（1990s–2020s）
NAND 這邊的故事，一樣離不開“技術發(fā)明”和“資本重組”。
隨著智能手機和數據中心興起，3D NAND、QLC 等技術路線成熟，NAND 市場快速擴容，成為僅次于 DRAM 的第二大存儲品類。
但東芝在非半導體業(yè)務上的失誤扭轉了這條發(fā)展路徑：受子公司西屋電氣核電項目巨虧拖累，東芝遭遇嚴重財務危機，被迫出售最優(yōu)質的 NAND 資產。
2018 年，以貝恩資本（Bain Capital）為首的財團以約 2 萬億日元價格完成對東芝存儲（Toshiba Memory）的收購，隨后更名為鎧俠（Kioxia）。東芝保留了相當比例股權，貝恩資本則通過普通股、優(yōu)先股和債務工具等形式實現控股。
根據近幾年披露的數據：貝恩資本領銜的投資機構大約持有 50% 以上股權，東芝則長期持有 30–40% 左右，鎧俠因此成為“日本技術 + 全球資本”的混合體。
在 NAND 市場層面，這意味著：發(fā)明 NAND 的東芝，最后失去了對這塊資產的控制權，但技術與團隊以鎧俠的形式得以延續(xù)，這家公司今天仍是全球 NAND 龍頭之一。
從英特爾的角度，這是“聚焦 IDM 2.0 戰(zhàn)略、專注 CPU 與代工”的斷臂決策；從行業(yè)角度看，這是全球存儲資本格局的一次重要重組——SK 海力士在 NAND 側的規(guī)模和技術堆棧顯著增強。
這一決定在當時被很多分析機構視作合理收縮，但放到 AI 超級周期的視角回看，只能說：誰也沒想到，幾年后存儲會因為 AI 重新被資本市場“嚴肅定價”。
四、AI 超級周期與 HBM/HBF：存儲的角色被重寫（2020s–）
AI 訓練服務器中 HBM 占據整機 BOM 成本的大頭之一，產能與供貨節(jié)奏直接影響 GPU 出貨與數據中心擴張進度，從而獲得顯著“AI 溢價”。
業(yè)界公開報道中，SanDisk 與 SK 海力士的合作被視作 HBF 路線的重要推動力量，前者在 NAND 與控制器方面積累豐富，后者在先進封裝與與 GPU/CPU 協(xié)同方面經驗突出。
五、中國存儲與長鑫擴產：機會與約束并存
2010 年后，以武漢長江存儲（NAND）和合肥長鑫（DRAM）為代表的新一代企業(yè)，在國家存儲器基地等項目支持下逐步成形。
長江存儲在 3D NAND 上較早切入 Xtacking 架構，長鑫則以收購奇夢達專利為起點，結合自研完成了數代工藝迭代。 但在全球統(tǒng)計中，兩家長期處于“Others（其他）”一欄，體量與工藝節(jié)點都明顯落后于韓美三巨頭。
公開信息顯示，長鑫正在合肥、上海等地建設多條 12 英寸 DRAM 生產線，規(guī)劃月產能數十萬片，若全部按期建成并順利爬坡，在“片數”維度確實有機會在 2026–2028 年間接近當前美光的產能規(guī)模。
但與此同時，長鑫當前量產的 DRAM 工藝節(jié)點大致落后全球領先廠商 2–3 年：在 1X/1Y nm 與 1α/1β nm 這些先進節(jié)點上，與美光、三星存在差距，后續(xù) 1γ 及以下節(jié)點的導入時間和良率控制，將直接決定其產品成本和盈利能力。
在這樣的預期下，蘋果嘗試將長鑫納入候選供應鏈：是在“成本”和“安全”之間尋求平衡，一方面獲得價格談判籌碼，另一方面在主流供應商無法放量時有一定的備份空間；也勢必觸碰到美國對中國存儲企業(yè)的安全標簽——長鑫此前被美國國防部列入所謂“中國軍事企業(yè)清單”，盡管并不等同于最嚴厲的出口管制名單，但已足以讓政策討論高度敏感。
從長鑫自己的發(fā)展角度看，這里同樣存在現實約束：即便獲得許可，短期內其總體產能與當前訂單儲備仍以國內客戶為主，不可能一夜之間承擔蘋果這類巨頭的大規(guī)模需求；更重要的是，先進工藝節(jié)點的良率和規(guī)模化量產能力，還需要時間來證明。
換句話說，蘋果這一步更多是一種“前置布局”而非“立刻換供應商”。但對中國存儲產業(yè)而言，被全球消費電子龍頭認真討論并“寫進游說材料”，已經是一個難得的象征性進展。
結語：在 AI 浪潮里重寫“周期”的行業(yè)
DRAM 和 NAND 半個世紀的歷史，幾乎可以當作半導體產業(yè)的一面放大鏡：從 IBM 沃森實驗室里 Dennard 的一支電容，到英特爾 1103 這樣的首代商用產品；從東芝舛岡富士雄的 NAND 發(fā)明，到鎧俠在全球 NAND 里的位置與貝恩資本的控股；從美國退場、日本退潮，到韓國憑逆周期豪賭成為 DRAM 與 HBM 的雙寡頭；再到今天，AI 把高端存儲變成與 GPU 一起被定價的“算力資產”，同時留下一個尚未完全填滿的結構性真空，中國廠商第一次在全球 DRAM 與 NAND 的供需重構里有了可以放大的籌碼。
對產業(yè)從業(yè)者和投資者來說，真正需要更新的認知是：存儲不再只是“看價格和庫存”的簡單周期故事，而是在 AI 超級周期里，與算力、帶寬、容量一起構成基礎設施的一部分。 在這條新的敘事線上，蘋果向美國政府申請采購中國 DRAM，只是一個開始，真正的好戲，還在后頭。
—論壇信息—
名稱：2026CMP與先進封裝材料論壇
時間：2026年7月29-30日
地點：蘇州
主辦方：亞化咨詢
—會議背景—
在半導體制造中，化學機械拋光（CMP）是實現晶圓全局平坦化、支撐先進制程持續(xù)演進的關鍵工藝。隨著制程節(jié)點不斷向納米級推進，CMP對拋光液、拋光墊及清洗材料提出了更高的缺陷控制與選擇性要求，并直接影響器件良率。
亞化咨詢測算，2026年全球CMP材料（包括拋光液、拋光墊和清洗液等）市場規(guī)模約42億美元，其中中國市場約80億元人民幣，占比持續(xù)提升。預計到2032年，中國CMP材料市場有望超過160億元人民幣，年均增速在10%左右，增量主要來自化合物半導體（尤其是SiC）和先進封裝對CMP工藝和材料需求的快速增長。
與此同時，半導體產業(yè)正加速邁入“超越摩爾”階段。2.5D/3D集成、Chiplet以及無凸點混合鍵合等先進封裝技術，正在將CMP的應用邊界從前道晶圓制造拓展至后道封裝環(huán)節(jié)。面對TSV填銅平坦化、多材料界面的高選擇性去除，以及原子級表面平整度控制等新挑戰(zhàn)，CMP技術及材料體系正迎來新一輪持續(xù)創(chuàng)新。
在成熟制程晶圓制造CMP材料需求的穩(wěn)固基礎上，AI算力芯片和HBM堆疊需求的快速增長，進一步拉動先進封裝相關CMP拋光液、清洗液及拋光墊的用量持續(xù)提升，正成為半導體材料領域最具增長潛力的方向之一。
當前，全球產業(yè)鏈加速重構，半導體關鍵材料自主可控已成為業(yè)界共識。無論是支撐成熟與先進制程的降本增效，還是助力先進封裝技術的持續(xù)突破，CMP材料的國產替代與上下游協(xié)同都具有關鍵意義。
首屆CMP與先進封裝材料論壇將于2026年7月29–30日在蘇州召開，會議由亞化咨詢主辦。旨在打通電子化學品與高端CMP耗材之間的研發(fā)與產業(yè)化鏈條，匯聚晶圓代工、封測企業(yè)及核心材料與設備供應商，共同探討CMP技術演進趨勢與應用需求，共促合作創(chuàng)新，布局下一代高端耗材市場機遇。
—會議報告—
—贊助方案—
項目 | 項目內容 |
主題演講 | 25分鐘主題演講 |
參會名額 | |
微信推送 | “電子材料前沿”微信公眾號， 企業(yè)介紹以及相關軟文 |
會刊廣告 | 研討會會刊， 彩色全頁廣告（尺寸A4） |
資料入袋贊助 | 企業(yè)的宣傳冊放入會議包袋 |
現場展臺 | 現場展示臺，展示樣品、資料， 含兩個參會名額 |
現場易拉寶 | 現場1個易拉寶展示 |
禮品贊助 | 印有贊助商logo的禮品贈送參會聽眾 |
茶歇贊助 | 冠名和贊助會議期間的茶歇 |
晚宴贊助 | 冠名和贊助會議的招待晚宴 |
Logo展示 | 背景墻 logo，會刊封面logo |
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