當(dāng)?shù)貢r(shí)間2026年6月30日，英特爾在位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市的Bowers園區(qū)，為其新的光罩（掩模/Reticle）生產(chǎn)設(shè)施舉辦了動(dòng)工儀式。英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan） 以及代工業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人、掩模業(yè)務(wù)總經(jīng)理等核心高管，圣克拉拉市長麗莎·吉爾莫出席了該動(dòng)工儀式。
據(jù)介紹，該項(xiàng)目占地約107,000平方英尺（約9,940平方米），計(jì)劃建設(shè)一座新的光罩制造工廠和一座新的公用事業(yè)大樓，這將鞏固該廠作為英特爾光罩主要生產(chǎn)商的地位。
新工廠將具備為深紫外（DUV）和極紫外（EUV）光刻，以及從32nm到1.4nm級(jí)的多種工藝制程節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)6英寸×6英寸光罩的能力。不過，該設(shè)施的核心任務(wù)是為英特爾18A、18A-P、14A等前沿制程技術(shù)制造光罩。這些先進(jìn)工藝依賴DUV、EUV乃至未來的高數(shù)值孔徑（High-NA）EUV光刻工具，因此需要更尖端的光罩，例如具備極高圖案密度、并采用曲線光學(xué)鄰近效應(yīng)修正（OPC）技術(shù)的曲面幾何形狀光罩。
英特爾是全球少數(shù)擁有先進(jìn)光罩制造廠的芯片制造商之一。這很重要，因?yàn)橐豢罴舛酥瞥绦酒赡苄枰獢?shù)百個(gè)光罩，而任意一個(gè)光罩上如果存在瑕疵，都會(huì)影響芯片生產(chǎn)。
此外，隨著EUV光刻層的引入，光罩的自主生產(chǎn)能力正變得尤為關(guān)鍵——因?yàn)镋UV光刻工具在使用過程中會(huì)逐漸損傷光罩（即便有保護(hù)薄膜防護(hù)），因此，能在短時(shí)間內(nèi)快速制造出新光罩，是保障生產(chǎn)連續(xù)性的核心能力。
更值得一提的是，英特爾是目前唯一一家自主開發(fā)光罩寫入設(shè)備的半導(dǎo)體廠商，這項(xiàng)業(yè)務(wù)由其旗下的IMS納米制造公司負(fù)責(zé)。
傳統(tǒng)上，光罩的圖案化依賴單電子束直寫工具，速度較慢；而IMS生產(chǎn)的多束光罩寫入機(jī)（MBMWs），可同時(shí)發(fā)射多達(dá)262,144束獨(dú)立編程的電子束進(jìn)行寫入，在維持納米級(jí)精度的同時(shí)，將吞吐量提升了數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。
“幾十年來，圣克拉拉一直是英特爾許多最重要制造創(chuàng)新的發(fā)源地，”英特爾代工業(yè)務(wù)副總裁兼光罩運(yùn)營總經(jīng)理Frank Abboud博士表示。“此次擴(kuò)大鮑爾斯園區(qū)（Bowers Campus）的光罩生產(chǎn)能力，是在加強(qiáng)一項(xiàng)支撐全球先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)的關(guān)鍵能力，同時(shí)強(qiáng)化英特爾代工業(yè)務(wù)致力于推動(dòng)美國半導(dǎo)體制造領(lǐng)導(dǎo)地位的承諾。”
英特爾位于圣克拉拉的Bowers園區(qū)自1986年起便專注于光罩生產(chǎn)，與俄勒岡州希爾斯伯勒的工廠共同構(gòu)成了英特爾主要的光罩制造基礎(chǔ)設(shè)施。
編輯：芯智訊-浪客劍
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